記憶體大廠CES大秀HBM實力　AI、云端、高速傳輸新品動能備出

記憶體大廠在CES期間大秀HBM的技術(shù)實力，看好高階制程將翻轉(zhuǎn)產(chǎn)業(yè)景氣走勢。康瓊之攝

記憶體產(chǎn)業(yè)復甦跡象明確，AI浪潮快速興起，各家記憶體大廠積極掌握先進制程商機作為成長動能，隨著記憶體成為云端伺服器及AI終端應用不可或缺的要角。

此次2024年CES期間的各大記憶體廠均以AI為聚焦重心，HBM、高速傳輸?shù)刃缕烦尸F(xiàn)百花齊放，率先搶攻記憶體從谷底翻身的成長契機。

 

儘管各大記憶體廠仍背負營運虧損的壓力，但生成式AI採用高頻寬記憶體（HBM）推動價格倍速翻漲，讓記憶體產(chǎn)業(yè)從過去標準化的量產(chǎn)規(guī)模競爭，走向客制化的高技術(shù)含量競爭。

近期市場傳出，大客戶NVIDIA提前支付數(shù)億美元預付款給SK海力士（SK Hynix）、美光（Micron），以確保2024年AI GPU搭配HBM3E的供貨穩(wěn)定，并降低記憶體業(yè)者財務及投資的壓力。

尤其以SK海力士2023年已在HBM領(lǐng)域搶先攻下一城，取得全球市佔逾5成的領(lǐng)導地位，而三星電子（Samsung Electronics）也緊追在后。

據(jù)傳，HBM3、HBM3E陸續(xù)結(jié)束產(chǎn)品測試，可望與NVIDIA簽訂供應合約，兩家韓系記憶體廠不僅在HBM互別苗頭，交鋒戰(zhàn)場延伸至CES展會，并擴大戰(zhàn)線至云端伺服器的記憶體介面CXL（Compute Express Link）的布局。

SK海力士在CES展示了HBM3E，號稱是業(yè)界最高的每秒1.18 TB的資料處理速度，滿足AI市場在快速處理海量資料的需求，與前一代產(chǎn)品相比，速度將提高了1.3倍，資料容量也提高1.4 倍，獨家開發(fā)的MR-MUF技術(shù)更是SK海力士的強調(diào)重點，提升散熱性能約10%。

SK海力士預計將于2024年上半年量產(chǎn)HBM3E，至于CXL透過擴展記憶體和提高AI應用性能受到關(guān)注，預計在AI時代下將與HBM3E發(fā)揮相乘的關(guān)鍵效益。

三星針對生成式AI的DRAM方案有三大領(lǐng)域，分別為12奈米32 Gb DDR5 DRAM、HBM3E以及CXL記憶體模組產(chǎn)品。

其中，32Gb DDR5 DRAM 是目前單晶片容量最大的DRAM產(chǎn)品，而CXL介面雖然過去推動多年，但AI商機帶來新機會，三星認為，透過在伺服器前端安裝CXL介面的模組產(chǎn)品，將能大幅增加每臺伺服器的記憶體容量，將適合用于處理大量資料的生成式AI平臺。

隨著生成式AI應用逐漸地從云端資料中心擴展至終端邊緣裝置，內(nèi)建AI功能的PC將在2024年先后登場推出，美光在CES展出的LPCAMM2記憶體被視為AI PC的最后一哩路，採用LPDDR5X DRAM，但更強調(diào)降低功耗及節(jié)省空間。

美光強調(diào)，LPCAMM2已開始送樣，預計于2024年上半年量產(chǎn)，將導入多家PC大廠的筆電新品。

不僅三大記憶體廠在CES大打AI商機，臺廠鈺創(chuàng)也在CES首度亮相4Gb DDR3 LRTDRAMTM(Long Retention Time Dynamic Random-Access Memory)，鎖定在AI應用、KGD異質(zhì)整合封裝、車載等高溫應用情境的創(chuàng)新型記憶體，以獨家首創(chuàng)的長效資料保存技術(shù)為重點訴求。

由于AI應用在高速運算的需求下，傳統(tǒng)DRAM受限于先天物理特性，存取效能會隨著溫度上升而衰減。鈺創(chuàng)表示，4Gb DDR3 LRTDRAM可在攝氏122度的高溫下達到超過104毫秒的100%長時保留，目前4Gb DDR3 LRTDRAM相關(guān)驗證已經(jīng)完成，并開始送樣給客戶。