美國的芯片工藝反超或落空，高通證明臺積電2納米工藝如期推進

據外媒報道指高通已要求臺積電和三星提供2納米工藝樣板，預計在2025年同時給這兩家芯片代工企業的2納米工藝下單，這意味著臺積電的2納米工藝能如期在2025年量產，對美國的芯片產業計劃無疑是一大打擊。

美國芯片龍頭Intel在2014年之前一直都引領著全球芯片工藝的發展，而臺積電、三星等在那時候一直跟著Intel吃屁，不過Intel也是在2014年量產14納米工藝之后就陷入停滯，芯片工藝研發連續5年無法取得進展。

臺積電和三星此后卻一直保持著1-2年時間升級一次芯片制造工藝，到了7納米工藝之后終于實現了對Intel的反超，而Intel那時候才量產10納米工藝，在芯片工藝方面的落后直接導致美國芯片對臺積電的依賴性加大，美國芯片大多都將芯片交給臺積電代工。

這幾年美國迫使臺積電和三星赴美設廠，被認為是美國試圖獲取他們的芯片技術機密，進而幫助Intel等美國芯片企業重新掌控芯片技術的領先優勢，到了今年美國的做法已經越發明顯了，這讓臺積電和三星頗為不安。

據悉全球最大的光刻機企業ASML預計今年量產10臺2納米光刻機，其中有6臺已確定給Intel，美國希望通過將最多的2納米光刻機交給Intel，幫助Intel加速在2025年量產2納米工藝，這讓業界擔憂臺積電可能會在2納米工藝方面落后。

如今高通給出的消息意味著臺積電已在推進2納米工藝，甚至已具備制造樣板的能力，這意味著臺積電當前的2納米工藝已取得了重大進展，這也將確保臺積電繼續保持芯片制造工藝領先優勢。

臺積電能如此確保先進工藝的進展顯然并非完全是靠光刻機等先進設備，這點當年在7納米工藝上就有所體現，當時業界都認為需要用到第一代EUV光刻機才能量產7納米工藝，而臺積電硬是用原有的DUV光刻機量產了7納米工藝。

與此同時，三星卻是最先采用了EUV光刻機量產7納米工藝，但是三星卻遭遇了良率問題以及芯片工藝技術水平未能達到預期，最終多數芯片企業采用了臺積電的7納米工藝；如今在3納米工藝上，三星也是激進地引入了GAA技術，再次導致3納米工藝良率低至兩成，臺積電則保守地在3納米工藝上繼續采用FinFET技術而取得了55%的良率。

如此或許能理解臺積電如今繼續以第一代EUV光刻機研發2納米工藝的考慮，2納米EUV光刻機或許也存在一些技術問題，臺積電坐視Intel搶到最多的2納米EUV光刻機，或許也看著Intel先嘗試這一代EUV光刻機的技術，等看清技術問題后再引進生產2納米，如此即使臺積電第一代2納米工藝技術水平不夠優秀但是在良率方面有足夠競爭力就能確保技術優勢。

經歷了3納米良率偏低的教訓，以及此前7納米以及GAA技術的困難，臺積電可能更趨于保守了，不愿過于冒進地采用先進技術，而優先考慮良率問題，摸清各種技術難題再全面引進多種新技術，最終成為最后的贏家。