X-FAB引入圖像傳感器背照技術增強CMOS傳感器性能

中國北京，2024年4月9日——全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，其光學傳感器產品平臺再添新成員——為滿足新一代圖像傳感器性能的要求，X-FAB現已在其備受歡迎的CMOS傳感器工藝平臺XS018（180納米）上開放了背照（BSI）功能。

BSI工藝截面示意圖

通過BSI工藝，成像感光像素性能將得到大幅增強。這一技術使得每個像素點接收到的入射光不會再被后端工藝的金屬層所遮擋，從而大幅提升傳感器的填充比，最高可達100%。由于其能夠獲得更高的像素感光靈敏度，因而在暗光條件下，這種優勢尤為顯著。同時，由于光路縮短，BSI工藝還能有效減少相鄰像素間的串擾，進而提升圖像的成像質量。盡管目前BSI技術已經相當普遍地應用于300毫米晶圓，并廣泛用在消費級的小像素圖像傳感器上，但針對200毫米晶圓市場，主要應用在工業醫療汽車等領域；或者對于需要通過拼接式大像素圖像傳感器，尤其是在需要額外定制化的場景中，市場上BSI工藝的選擇卻十分有限。因此，X-FAB在原有廣受好評的CMOS傳感器工藝平臺XS018中新加入了BSI功能，為不同細分市場帶來全新可能性，無論是X射線診斷設備、工業自動化系統、天文研究，還是機器人導航、車載前置攝像頭等，客戶都能夠輕松地應對最嚴苛的應用需求。

BSI工藝和標準可見光波段抗反射層（左），晶圓采用了BSI工藝和近紅外波段抗反射層（右）

XS018 CMOS傳感器平臺具有讀出速度快、暗電流低等特點，客戶還能夠在該平臺選擇多種不同的外延層厚度從而實現針對不同應用場景的圖像傳感器。除此之外，通過BSI工藝，客戶還可選擇添加ARC層，并可以根據不同的特殊應用要求進行調整。隨附的X-FAB設計支持包覆蓋了從初始設計到工程樣品裝運的完整工作流程，其中還包括完善的PDK。

“BSI技術能夠將感光元件置于更接近光源的位置，并避免不必要的電路阻礙來提高圖像成像能力，因此在現代成像器件中得到日益廣泛的應用。事實證明，這在暗光環境中非常有用。”X-FAB光學傳感器技術營銷經理Heming Wei表示，“盡管此類應用之前主要集中在消費電子領域，但目前工業、汽車和醫療市場也涌現出大量需求。借助X-FAB的BSI工藝，可以集合更高感光度、更大傳感器尺寸以及像素容量等優勢，推出市場信服的產品，更大程度滿足工業，汽車，醫療不同的應用需求。”

縮略語：
ARC        抗反射涂層
BSI        背照技術
CMOS        互補金屬氧化物半導體
PDK        工藝設計套件