三星獲得美國政府64億美元建廠補貼
三星在2021年宣布，將斥資約170億美元在泰勒建造一座芯片工廠。在美國政策補貼下，三星計劃將美國得州半導體投資總額增加一倍以上，達到約450億美元。
根據三星與美國政府擬定的協議，韓國芯片巨頭準備新建兩座“世界領先的邏輯芯片廠”、一座研發中心和一個先進封裝設施，同時擴建三星原有的奧斯汀晶圓廠。同時，奧斯汀工廠的擴建將支持全耗盡型絕緣體上硅（FD-SOI）工藝技術的生產，將用于航空航天和國防等關鍵領域。這項撥款還包括三星與美國國防部合作的承諾。
三星計劃將在那里打造一整個半導體研發—生產生態，包括一個致力于比當前工藝節點“先進一代”的研發廠、兩座專注于大規模生產4nm和2nm工藝制程芯片的晶圓廠，還有一座為高帶寬內存進行3D封裝，以及具備2.5D芯片封裝能力的先進封裝設施。
三星投資五年內將為美國創造超過17000個建筑產業職位缺口，和4500多個高薪制造業工作。 配套措施是美國政府《芯片與科學法案》提供4000萬美元當地勞動力培訓資金。
有美國高級官員透露，三星投建的兩家先進邏輯芯片工廠，一家計劃于2026年投產，另一家與先進研發廠都將與2027年啟用。該官員還表示，已經有很多供應商表示將遷往美國，與三星半導體產業集群進行合作。
據悉，除了協議中提到的64億美元直接撥款外，三星還計劃申請美國財政部的投資稅收抵免，預期能夠覆蓋合規資本支出的25%。
目前，英特爾、臺積電、三星三大芯片巨頭都拿到了美國政府的補貼資金，總計215億美元，占到《芯片法案》里的390億美元建廠補貼近55%。
美國商務部長雷蒙多(Gina Raimondo)表示，拜登政府準備在今年底前用完390億美元《芯片法案》的補助撥款。目前，最大的補貼款已發放，剩余約160億美元的補貼將在今年底前發放，未來的獎勵計劃將集中在存儲芯片及對供應商、晶圓及化學品的投資。
