HBM3e 今年將成主流，產(chǎn)能擠占將導(dǎo)致下半年 DRAM 供不應(yīng)求

業(yè)內(nèi)消息稱三星、SK 海力士和美光都在積極投資高帶寬內(nèi)存（HBM），而由于產(chǎn)能擠占效應(yīng)，下半年 DRAM 產(chǎn)品可能會面臨短缺。

集邦咨詢在報告中認為，三大 DRAM 供應(yīng)商正在增加先進工藝的晶圓投入。隨著存儲器合同價格的上漲，各公司都加大了資本投資力度，今年下半年將重點擴大產(chǎn)能，預(yù)計到今年年底，1α nm 及以上工藝的晶圓投入量將占 DRAM 晶圓總投入量的約 40%。

由于 HBM 的盈利能力和不斷增長的需求，廠商優(yōu)先考慮生產(chǎn) HBM，HBM3e 將成為今年的市場主流，出貨量將集中在下半年。

由于 HBM3e 的出貨量預(yù)計將集中在下半年，恰逢內(nèi)存需求旺季，市場對 DDR5 和 LPDDR5 (X) 的需求預(yù)計也將增加。

由于分配給 HBM 生產(chǎn)的晶圓投入比例較高，先進工藝的產(chǎn)出將受到限制。因此，下半年的產(chǎn)能分配將是決定供應(yīng)能否滿足需求的關(guān)鍵。

簡要匯總下廠商情況如下：三星預(yù)計現(xiàn)有設(shè)施將于 2024 年底全部滿負荷運轉(zhuǎn)，新的 P4L 工廠預(yù)計將于 2025 年竣工，而 15 號生產(chǎn)線工廠將從 1Y 納米過渡到 1beta 納米及以上的工藝。

SK 海力士計劃明年擴大 M16 工廠的產(chǎn)能，而 M15X 工廠也計劃于 2025 年竣工，并于明年年底開始量產(chǎn)。

各主要制造商都將投資 HBM4 的開發(fā)，在產(chǎn)能規(guī)劃中優(yōu)先考慮 HBM。因此，由于產(chǎn)能擁擠效應(yīng)，DRAM 供應(yīng)可能會出現(xiàn)短缺。