聯(lián)電漲近5% 消息稱與高通達(dá)成未來6年芯片代工協(xié)議

5月26日消息，聯(lián)電漲近5%，消息稱公司已與高通達(dá)成一項(xiàng)長(zhǎng)期協(xié)議，將為高通提供6年的產(chǎn)能支持。

此前，業(yè)界傳聯(lián)電已經(jīng)與聯(lián)發(fā)科、瑞昱、聯(lián)詠、三星、高通等六大型芯片廠商定，由上述廠商先支付產(chǎn)能保證金，聯(lián)電負(fù)責(zé)在南部科學(xué)園區(qū)新建一座規(guī)模2萬片的12吋28納米的廠房。據(jù)稱聯(lián)電規(guī)劃中的南科P6廠投資額高達(dá)千億元，以28納米高介電層/金屬閘極（HK）制程1千片產(chǎn)能需要資金1億美元來估算，每家芯片廠可能需要負(fù)擔(dān)約5億美元。聯(lián)電的新廠預(yù)計(jì)在2023年第2季度實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，屆時(shí)六大芯片廠每家將承包約5千片的月產(chǎn)能。

據(jù)悉，為了滿足強(qiáng)勁的客戶需求，聯(lián)電2021年資本支出將達(dá)15億美元，比去年增加50%；其中，85%的資本支出將投入12吋廠，主要以28奈米以下制程為主，其他15%投資到8吋廠。