MOS選型技巧有哪些？這篇文章看完就都懂了！
MOS選型是很多采購和工程師的必修課，這也是幫助公司選擇出最適合的產品，提高產品的市場競爭力的手段，本期，合科泰帶大家好好了解MOS管的選型技巧，全面學好選型知識，做好元器件選型。
1、功率MOSFET選型第一步：P管，還是N管？
N溝道MOS管通常用于低壓側開關，特別是當MOS管接地，而負載連接到干線電壓上時。P溝道MOS管常用于高壓側開關，即當MOS管連接到總線且負載接地時。
2、確定額定電壓和電流
額定電壓（VDS）需大于電路中的實際電壓應力，并留有足夠的電壓余量以確保安全。額定電流（ID）根據電路中的最大預期電流來選擇，包括連續模式下的電流和可能的脈沖尖峰電流。
3、選取封裝類型
封裝選取原則有溫升和熱設計是選取封裝最基本的要求，系統的尺寸限制，公司的生產工藝等等。
4、選取耐壓BVDSS
BVDSS指在漏極與源極之間的最大擊穿電壓。當在柵極和源極之間施加一定電壓時，源極和漏極之間的電壓突然增大，導致器件損壞的電壓值即為BVDSS。漏源擊穿電壓是MOS的一個重要參數，用于衡量其承受電壓的能力。MOS管的耐壓BVDSS通常由其工作在的應用環境來決定，不同的應用場景對耐壓值有不同的要求。在選擇MOS管時，需要確保其BVDSS大于電路中的最大工作電壓，并留有足夠的電壓余量以應對可能的電壓波動和峰值電壓。為了確保MOS管在惡劣環境下也能穩定工作，建議選擇耐壓值略高于計算值的MOS管，或者采用并聯多個MOS管的方式以提高整體耐壓能力。
5、由驅動電壓選取VTH
在MOS的驅動電壓選取中，閾值電壓（VTH）是一個關鍵參數。VTH是MOSFET開始導通所需的柵極電壓（VGS）的最小值，也被稱為開啟電壓或門限電壓。VTH受多種因素影響，包括柵和襯底之間的功函數差、費米能級、耗盡區的電荷密度以及柵氧化層單位面積電容等。此外，不同的MOSFET產品由于其制造工藝和設計的不同，VTH值也會有所差異。
確保VGS > VTH，為了確保MOSFET能夠正常導通，驅動電壓（VGS）必須大于閾值電壓（VTH）。只有當VGS超過VTH時，MOSFET的溝道才會形成，允許電流通過。
考慮裕量，在實際應用中，為了確保MOSFET的穩定性和可靠性，通常會選擇比VTH稍大的驅動電壓。這樣可以避免由于電壓波動或噪聲等因素導致的誤導通或不穩定現象。不同型號的MOSFET在數據手冊中會給出其VTH的典型值、最小值和最大值。在選取驅動電壓時，應參考這些數據以確保所選電壓在MOSFET的規格范圍內。
6、選取導通電阻RDSON
很多時候工程師關心RDSON，是因為RDSON和導通損耗直接相關，RDSON越小，功率MOSFET的導通損耗越小、效率越高、溫升越低。
7、選取開關特性：Crss、Coss、Ciss；Qg、Qgd、Qoss
8、熱設計及校核
9、校核二極管特性
10、雪崩能量及UIS、dv/dt
還要評估開關速度，考慮MOS管的開關頻率和上升/下降時間。對于高頻應用，需要選擇具有快速開關特性的MOS管。柵極/漏極、柵極/源極及漏極/源極電容，這些電容會影響MOS管的開關速度和效率。此外，也要關注內部RG的大小、負載開關和熱插撥工作在線性區的問題、SOA特性，和EMI相關的參數等。
注意，中高壓MOSFET每個廠家命名不一樣，主要的參數，工程師在產品設計時都會留有余量，選型時在工程師要求的范圍內即可。優先滿足第1、2、3、4、5點。如客戶的產品是電源，可以通過輸入電壓電流大小和輸出電壓電流大小來選定一定范圍的MOSFET。
通過對合科泰列舉的這些選型技巧學習掌握，您就可以系統地選擇出最適合特定應用的MOS管。在選型過程中，需要綜合考慮各種因素，并進行權衡和取舍，以確保所選MOS管能夠滿足應用需求并具有良好的性能和可靠性。
