存儲芯片成半導體最景氣賽道國產(chǎn)化比例有望加速提升

2021-06-09 來源：財聯(lián)社& 新浪財經(jīng)

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在經(jīng)濟復蘇和數(shù)字經(jīng)濟轉(zhuǎn)型驅(qū)動下，存儲芯片正成長為半導體行業(yè)最景氣的子賽道。

據(jù)世界半導體貿(mào)易統(tǒng)計組織（WSTS）預估，今年全球半導體產(chǎn)值將達5272億美元，將成長19.7%；存儲芯片產(chǎn)值將成長31.7%，增幅將高居第一。WSTS預期，2022年全球半導體產(chǎn)值可望進一步達5734億美元，將再成長8.8%；存儲芯片產(chǎn)值將成長17.4%，增幅仍將高居第一。

供需緊張態(tài)勢延續(xù)至Q3 行業(yè)邁入成長周期

去年以來，5G、消費電子、AI、物聯(lián)網(wǎng)等市場快速發(fā)展，疊加疫情下居家辦公、遠距學習模式，存儲需求大幅拉高，推動存儲器產(chǎn)業(yè)持續(xù)成長。

DRAM和NAND Flash是增長最快的兩個細分領域。DRAM存儲芯片下游以移動端為主，包括手機和筆記本電腦，占比超過60%。而NAND Flash通常被用來保存大量數(shù)據(jù)。其下游應用領域是有大規(guī)模數(shù)據(jù)存儲需求的企業(yè)、數(shù)據(jù)中心。

由于下游需求向好疊加晶圓產(chǎn)能緊張，這兩種產(chǎn)品均處于漲價景氣周期中。據(jù)市場研究機構(gòu)TrendForce集邦咨詢預計，DRAM價格今年一季度的現(xiàn)貨價格已同比增幅在18~23%之間，NAND Flash漲幅則在5~10%。

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供需緊張背景下，多家機構(gòu)預測漲價仍將持續(xù)。

TrendForce近日發(fā)布報告稱，受各終端買方于今年上半年積極備庫存的帶動，使得存儲器原廠庫存處于低水位，DRAM原廠平均庫存僅3~4周；NAND Flash供應商平均庫存則為4~5周。

面對第三季服務器客戶欲加強采購力道，原廠針對各類存儲器產(chǎn)品報價并無降價求售的必要性，故TrendForce預估，供需緊張的態(tài)勢將延續(xù)至三季度，Q3整體DRAM價格將續(xù)漲約3~8%；NAND Flash則受enterprise SSD及wafer需求攀升，整體價格季漲幅將由原先的3~8%，上調(diào)至5~10%。

長期來看，市場調(diào)研機構(gòu)IC Insights預計，全球存儲芯片市場將持續(xù)4年高景氣度，2020-2025年全球存儲芯片市場年復合增長率將達10.6%。存儲芯片銷售額預計將在2022年突破1800億美元，超過2018年的歷史最高紀錄，并將在2023年達到下一個周期峰值。

存儲產(chǎn)業(yè)鏈國產(chǎn)化比例有望加速提升

據(jù)川財證券研報，我國存儲芯片市場規(guī)模已從2015年的45.2億美元增長至2020年的183.6億美元，預計2024年將突破500億美元。

然而，我國的存儲器領域里國內(nèi)企業(yè)參與度很低，作為全球存儲芯片最大的市場，我國國產(chǎn)化率卻不足5%。在半導體存儲器制造領域，僅有部分IC晶圓代工、封測廠商提供少量的服務。

目前，我國出臺了一系列產(chǎn)業(yè)政策，如《“十三五“國家戰(zhàn)略性新興發(fā)展產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃》、《國家信息化發(fā)展戰(zhàn)略綱要》、《中國制造2025》等，鼓勵、支持整個半導體存儲行業(yè)的發(fā)展。國家集成電路產(chǎn)業(yè)基金也曾多次強調(diào)支持集成電路產(chǎn)業(yè)龍頭企業(yè)的發(fā)展，將更大力度地支持集成電路制造業(yè)和特色集成電路發(fā)展，重點推進存儲行業(yè)內(nèi)的項目。

該機構(gòu)分析師孫燦表示，在國家層面政策利推動下，存儲產(chǎn)業(yè)鏈國產(chǎn)化比例提升將持續(xù)加速。

具體來看，DRAM芯片制造端，方正證券分析師陳杭4月3日發(fā)布研報稱，短期內(nèi)我國DRAM自主替代最大的希望就是合肥長鑫；兆易創(chuàng)新為合肥長鑫的關聯(lián)方，正從市場規(guī)模較小的NOR Flash向DRAM拓展。其首款自有品牌4GbDDR4產(chǎn)品GDQ2BFAA系列現(xiàn)已量產(chǎn)，這標志著兆易創(chuàng)新正式入局DRAM這一主流存儲市場；紫光國微是國內(nèi)領先的集成電路設計企業(yè)，主業(yè)涵蓋集成電路業(yè)務和晶體業(yè)務，成熟的DDR3模組系列產(chǎn)品讓公司成為國產(chǎn)DRAM存儲器主要供應商。

NAND Flash方面，長江存儲已宣布128層NAND Flash產(chǎn)品已經(jīng)研發(fā)成功；北京君正的存儲芯片產(chǎn)品涵蓋SRAM、DRAM、NOR Flash和NAND Flash等。

封裝環(huán)節(jié)，深科技封測產(chǎn)品主要包括DDR3、DDR4，LPDDR3、LPDDR4、eMCP、USB、eMMC、ePOP、SSD、3DNAND以及Fingerprint指紋芯片等，并具備wBGA、FBGA、LGA等封測技術。