三星推 8nm 射頻芯片制程，搶攻 5G 領(lǐng)域

三星電子上周高調(diào)宣布開發(fā)出 8nm 射頻（RF）芯片制程技術(shù)，希望搶攻 5G 領(lǐng)域晶圓代工訂單。

據(jù)悉，三星開發(fā)了一種獨(dú)特的 8nm 射頻專用架構(gòu)，名為 RFextremeFET (RFeFET?)，可以顯著改善射頻特性，同時(shí)使用更少的功率。

與 14nm RF 相比，三星的 RFeFET 補(bǔ)充了數(shù)字 PPA 縮放并同時(shí)恢復(fù)了模擬 / RF 縮放，從而實(shí)現(xiàn)了高性能 5G 平臺。此外，新的 8nm RF 芯片可提高 35% 的效率且減少 35% 的面積。

據(jù) Newsis 等消息，三星計(jì)劃以 8nm RF 晶圓代工工藝技術(shù)服務(wù)，以此搶攻 5G 領(lǐng)域。

據(jù)介紹，三星這種尖端的代工技術(shù)有望提供“單芯片解決方案”，專門用于支持多通道和多天線芯片設(shè)計(jì)的 5G 通信。三星的 8nm 射頻平臺擴(kuò)展有望將公司在 5G 半導(dǎo)體市場的領(lǐng)先地位從低于 6GHz 擴(kuò)展到毫米波應(yīng)用。

科普：射頻 (Radio Frenquency) 和來自英文直譯。其中射頻最早的應(yīng)用就是 Radio—— 無線廣播 (FM/AM)，迄今為止這仍是射頻技術(shù)乃至無線電領(lǐng)域最經(jīng)典的應(yīng)用。

射頻簡稱 RF 射頻就是射頻電流，是一種高頻交流變化電磁波，為是 Radio Frequency 的縮寫，表示可以輻射到空間的電磁頻率，頻率范圍在 300KHz～300GHz 之間。

每秒變化小于 1000 次的交流電稱為低頻電流，大于 10000 次的稱為高頻電流，而射頻就是這樣一種高頻電流。高頻 (大于 10K); 射頻 (300K-300G) 是高頻的較高頻段；微波頻段 (300M-300G) 又是射頻的較高頻段。

射頻芯片指的就是將無線電信號通信轉(zhuǎn)換成一定的無線電信號波形，并通過天線諧振發(fā)送出去的一個(gè)電子元器件，也就是是能夠?qū)⑸漕l信號和數(shù)字信號進(jìn)行轉(zhuǎn)化的芯片。它包括 RF 收發(fā)機(jī)、功率放大器（PA）、低噪聲放大器（LNA）、濾波器、射頻開關(guān)、天線調(diào)諧開關(guān)等。

眾所周知，手機(jī)等移動終端中最重要的核心部件便是射頻芯片和基帶芯片等。射頻芯片負(fù)責(zé)射頻收發(fā)、頻率合成、功率放大；基帶芯片負(fù)責(zé)信號處理和協(xié)議處理。

射頻：一般是信息發(fā)送和接收的部分；

基帶：一般是信息處理的部分；

電源管理：一般是節(jié)電的部分，對手機(jī)來說相當(dāng)重要；

外設(shè)：一般包括 LCD，鍵盤，外殼等；

軟件：一般包括系統(tǒng)、驅(qū)動、中間件、應(yīng)用。