3D封裝拯救摩爾定律，混合鍵合技術開啟晶體管萬億時代

當傳統制程微縮逼近物理極限，芯片巨頭們正在另一條賽道加速沖刺——垂直方向。Counterpoint Research最新報告指出，混合鍵合（Hybrid Bonding） 技術已成為實現“單顆芯片一萬億晶體管”目標的關鍵跳板。當前先進封裝雖提高了I/O密度，但愈發復雜的異構設計與Chiplet架構對I/O數量、延遲提出了更高要求，以滿足AI、5G和高性能計算等應用?；旌湘I合互連技術正成為關鍵突破口，它可顯著降低能耗、擴大帶寬、優化熱管理，從而助力摩爾定律繼續前行。

Counterpoint Research指出，隨著半導體行業迅速轉向3D集成，混合鍵合技術將成為推動下一代高性能計算（HPC）和AI加速器先進封裝解決方案的主要驅動力。當前，混合鍵合技術已在3D Co-Packaged Optics、高帶寬內存（HBM）和3D DRAM等領域展現出巨大潛力，通過提供超密集、低損耗的互連，顯著提升性能、效率和微型化水平。

數據顯示，目前市場上對混合鍵合技術的需求正急劇增長，特別是在AI、5G和HPC應用中，混合鍵合技術因其顯著的節能、帶寬增強和熱管理優勢，成為滿足高I/O密度和低延遲需求的關鍵解決方案。預計未來幾年，混合鍵合技術的市場規模將大幅擴張，成為支撐摩爾定律持續發展的核心力量。

Counterpoint Research此前預測，混合鍵合技術將在2025年前后實現廣泛應用，推動半導體行業進入一個新的增長階段。其他機構如國際半導體技術路線圖（ITRS）也預測，混合鍵合技術將成為未來十年內半導體封裝領域的主流技術之一，助力實現更高性能和更低功耗的芯片設計。