JSM2113STR 4A 700V 單相高低側帶SD功能柵極驅動芯片

在電子設備的世界里，芯片如同精密的 “心臟”，驅動著整個系統的高效運轉。對于眾多工程師和電子產品制造商而言，尋找性能卓越且適配的芯片至關重要。今天，我們要為大家介紹一款來自杰盛微半導體的明星產品 ——JSM2113STR，它在眾多方面展現出超越經典芯片 IR2113 的實力，成為理想的替代方案。

一、產品概述

JSM2113S是一款高壓、高速功率MOSFET高低側驅動芯片，采用高低壓兼容工藝使得高、低側柵驅動電路可以單芯片集成。具有獨立的高、低側傳輸通道JSM2113S的邏輯輸入電平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL邏輯輸出電平，輸出具有大電流脈沖能力，其浮動通道可用于驅動高壓側N溝道功率MOSFET，浮地通道最高工作電壓可達700V。

JSM2113S內部集成高低側shutdown邏輯，可用于故障條件下的通斷關斷。JSM2113S采用寬體SOP-16(W)封裝，可以在-40℃至125℃溫度范圍內工作。

二、核心產品特性

• 自舉工作的浮動通道

• 最高工作電壓可達 700 V

• 兼容 3.3V、5V 和 15V輸入邏輯

• dVs/dt 耐受能力可達±50 Vhnsec

• Vs負偏壓能力達-9V

• 柵極驅動電范圍 10 V-20V

• 寬溫度范圍-40~125°C

• 集成欠壓鎖定功能

• 周期性邊緣觸發關斷邏輯

• 輸入輸出同相位

• 邏輯和電源地±5V 偏移

• 芯片開通關斷延時特性

  - Ton/Toff =130ns/130ns

  -高低側廷時匹配

• 驅動電流能力:

  --拉電流/灌電流=4.0A/4.0A

• 高、低側欠壓鎖定電路

  --欠壓鎖定正向閩值8.9V

  --欠壓鎖定負向閩值 8.2V

• 符合 RoSH 標準

• SOP-16 (W)

三、核心產品特性

3.1 電壓與邏輯兼容性

• 輸入邏輯：兼容3.3V、5V、15V CMOS 或 LSTTL 邏輯輸出電平

• 電壓耐受：最高工作電壓700V，dVs/dt 耐受能力達 **+50V/nsec**，Vs 負偏壓能力達 **-9V**

• 電源電壓：邏輯電源（VDD）范圍為 Vss+3V 至 Vss+25V，低側電源（VCC）推薦工作范圍10V-20V

3.2 功能集成

• 保護功能：集成高低側 shutdown 邏輯（故障時關斷）、欠壓鎖定功能（VCC 欠壓正向閾值 8.9V、負向閾值 8.2V；VB 欠壓正向閾值 8.9V、負向閾值 8.2V，遲滯均為 0.7V）

• 時序特性：輸入輸出同相位，周期性邊緣觸發關斷邏輯；開通 / 關斷延時（Ton/Toff）均為130ns，高低側延時匹配最大10ns；上升時間（tR）25-35ns，下降時間（tF）約 17ns

3.3 電流特性

• 輸出電流：驅動電流能力為拉電流 4.0A / 灌電流 4.0A

• 靜態電流：高側浮動電源靜態電流（IoBS）典型 70μA、最大 120μA；低側電源靜態電流（Iocc）典型 120μA、最大 240μA；邏輯電源靜態電流（IQCD）典型 15μA；高側浮動電源泄漏電流（ILK）最大 50μA（VB=VS=700V 時）

四、引腳功能描述

極限工作范圍

五、應用范圍

• 通用逆變器

• 交流和直流電源中的半橋和全橋轉換器

• 用于服務器、電信、IT 和工業基礎設施的高密度開關電源

• 太陽能逆變器、電機驅動器和 UPS（不間斷電源）

六、JSM2113STR：性能參數全方位對比 IR2113

（一）更高的耐壓能力

IR2113 的最高工作電壓為 600V，而 JSM2113STR 的浮地通道最高工作電壓可達 700V。在一些對電壓要求較高的應用場景中，如高壓電力轉換、工業逆變器等，JSM2113STR 能夠承受更高的電壓，確保設備在高電壓環境下穩定運行，大大提高了系統的可靠性和適應性。

（二）更強的驅動電流

IR2113 的輸出拉電流和灌電流典型值為 2.5A，而 JSM2113STR 的輸出拉電流和灌電流均達到 4.0A。在驅動功率 MOSFET 或 IGBT 時，更大的驅動電流意味著能夠更快地對柵極電容進行充放電，從而實現更快的開關速度，降低開關損耗，提高系統的效率。例如在電機驅動系統中，更高的驅動電流可以讓電機響應更加迅速，運行更加平穩。

（三）更寬的邏輯輸入兼容

IR2113 邏輯兼容 3.3V，而 JSM2113STR 的邏輯輸入電平兼容低至 3.3V 的 CMOS 或 LSTTL 邏輯輸出電平，同時還能兼容 5V 和 15V 的輸入邏輯。這使得 JSM2113STR 在與不同邏輯電平的控制芯片連接時更加靈活，無論是低電壓的微控制器系統，還是較高電壓的邏輯電路，都能輕松適配，大大減少了系統設計過程中的電平轉換環節，降低了設計成本和復雜性。

（四）出色的抗干擾能力

JSM2113STR 的 dVs/dt 耐受能力可達 ±50V/nsec，Vs 負偏壓能力達 - 9V，相比之下，IR2113 在這方面未明確給出如此出色的參數。在實際應用中，尤其是在一些電磁環境復雜的場合，如工業現場、開關電源附近等，JSM2113STR 能夠更好地抵抗電壓的快速變化和負偏壓干擾，保證芯片的正常工作，減少誤動作的發生。

（五）集成豐富保護功能

JSM2113STR 內部集成了高低側 shutdown 邏輯，可用于故障條件下的快速通斷關斷，同時還具備欠壓鎖定功能。VCC 欠壓正向閾值為 8.9V，負向閾值為 8.2V；VB 欠壓正向閾值為 8.9V，負向閾值為 8.2V，遲滯均為 0.7V。而 IR2113 雖有雙通道欠壓鎖定，但在整體保護功能的豐富性和參數設置的合理性上，JSM2113STR 更具優勢。這些保護功能能夠在系統出現異常時迅速動作，保護芯片和后端負載，大大提高了系統的穩定性和可靠性。

選擇 JSM2113STR，選擇更優解決方案

從性能參數到實際應用，JSM2113STR 都展現出了超越 IR2113 的實力。對于正在使用 IR2113 的工程師和制造商來說，JSM2113STR 無疑是一個升級換代的絕佳選擇。它不僅能夠提升產品的性能和可靠性，還能在一定程度上降低系統設計的復雜性和成本。

杰盛微半導體還為客戶提供完善的技術支持。無論是免費申請樣品（新客戶專享），還是提供參考設計及開發工具，亦或是資深 FAE 團隊一對一的支持，都能幫助客戶快速將 JSM2113STR 導入設計，縮短產品的研發周期。

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在芯片技術不斷發展的今天，杰盛微半導體的 JSM2113STR 正以其卓越的性能和完善的服務，為電子設備行業帶來新的活力。選擇 JSM2113STR，就是選擇更高效、更可靠、更具競爭力的解決方案。讓我們攜手杰盛微，共同開啟電子設備的創新之旅。