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              中低壓MOSFET在數(shù)據(jù)中心DC-DC次級應(yīng)用詳細解析方案

              2025-09-09 來源: 作者:廣東合科泰實業(yè)有限公司
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              關(guān)鍵詞: 數(shù)據(jù)中心電源架構(gòu) 48V系統(tǒng) MOSFET選型 SGT技術(shù) 合科泰公司

              引言

              ——數(shù)據(jù)中心電源架構(gòu)的演進與48V系統(tǒng)的核心地位

              隨著數(shù)據(jù)中心算力需求的爆發(fā)式增長,高效電源架構(gòu)已成為提升整機柜能效的關(guān)鍵。傳統(tǒng)12V電源架構(gòu)在面對kW級服務(wù)器功耗時,大電流傳輸導(dǎo)致的線路損耗和散熱壓力日益凸顯。48V系統(tǒng)通過"以壓減流"策略,在同等功率下將電流降至12V方案的25%,基于功耗關(guān)系,線路損耗可降低約94%,為高密度算力場景提供低損耗、長距離的供電解決方案。


              圖騰柱PFC+LLC拓?fù)?/span>

              1.PFC與LLC電路的MOSFET特性要求

              在圖騰柱PFC電路中,MOSFET需滿足三大核心要求:雪崩能量能力(應(yīng)對啟動沖擊電流)、高頻開關(guān)性能(降低切換損耗)和低導(dǎo)通電阻(減少持續(xù)導(dǎo)通損耗)。選型表中650V 70mΩ型號適合高功率場景,而99mΩ型號則在中低功率場景中實現(xiàn)成本優(yōu)化。

              LLC諧振電路通過軟開關(guān)機制降低損耗,對次級MOSFET的體內(nèi)二極管特性提出嚴(yán)苛要求:低反向恢復(fù)電荷(Qrr)減少開關(guān)損耗,高di/dt能力提升電路可靠性。48V輸出場景中,同步整流MOSFET需同時滿足高頻開關(guān)下的低導(dǎo)通電阻與快速恢復(fù)特性,形成"低損耗+高魯棒性"的雙重技術(shù)要求。


              2.48V次級全橋整流拓?fù)涞膬?yōu)勢

              48V系統(tǒng)采用全橋同步整流拓?fù)洌ㄟ^四只MOSFET組成橋式結(jié)構(gòu)實現(xiàn)雙向電流整流,相較12V中心抽頭方案具有顯著優(yōu)勢:單管電流應(yīng)力降低50%,無需對稱次級繞組,功率密度提升30%以上。紅色框標(biāo)注的同步整流MOSFET工作于高頻開關(guān)狀態(tài),其性能直接決定系統(tǒng)能效。


              選型指南與SGT技術(shù)優(yōu)勢

              1.150V系列產(chǎn)品選型參數(shù)

              基于48V輸出需求,次級同步整流MOSFET需選擇150V耐壓等級(預(yù)留3倍以上安全余量)。選型表中采用TO-263封裝,提供-多檔導(dǎo)通電阻選擇:


              2.SGT技術(shù)的能效突破

              SGT(溝槽柵)MOSFET通過三維柵極結(jié)構(gòu)提升溝道密度,實現(xiàn)導(dǎo)通電阻降低30%以上。以150V 3.8mΩ型號為例,較傳統(tǒng)平面柵MOSFET減少導(dǎo)通損耗24%,在48V/40A工況下年節(jié)電可達16.8度。其低柵極電荷特性支持2MHz以上開關(guān)頻率,助力電源模塊功率密度突破100W/cm3。


              SGT MOS核心優(yōu)勢

              • 導(dǎo)通電阻低至3.8mΩ

              • 柵極電荷減少,適應(yīng)高頻化設(shè)計趨勢

              • TO220/TO263封裝優(yōu)化散熱路徑,可靠性提升


              應(yīng)用價值與技術(shù)趨勢

              中低壓MOSFET通過三大維度支撐數(shù)據(jù)中心電源升級:提升DC-DC轉(zhuǎn)換效率、減少散熱系統(tǒng)成本、提高功率密度。

              結(jié)語

              中低壓MOSFET作為48V隔離DC-DC次級的核心器件,通過低導(dǎo)通電阻、快速開關(guān)特性和高可靠性三大優(yōu)勢,為數(shù)據(jù)中心電源系統(tǒng)提供"能效-密度-成本"的最優(yōu)解。基于選型表的科學(xué)選型配合全橋同步整流拓?fù)洌蓪崿F(xiàn)電源模塊效率提升2-3%、體積縮小40%,成為支撐高密度算力場景的關(guān)鍵技術(shù)基石。

              公司介紹

              合科泰成立于1992年,是一家集研發(fā)、設(shè)計、生產(chǎn)、銷售一體化的專業(yè)元器件高新技術(shù)及專精特新企業(yè)。專注提供高性價比的元器件供應(yīng)與定制服務(wù),滿足企業(yè)研發(fā)需求。

              • 產(chǎn)品供應(yīng)品類:覆蓋半導(dǎo)體封裝材料、電阻/電容/電感等被動元件;以及MOSFET、TVS、肖特基、穩(wěn)壓管、快恢復(fù)、橋堆、二極管、三極管及功率器件,電源管理IC及其他,一站式配齊研發(fā)與生產(chǎn)所需。

              • 兩大智能生產(chǎn)制造中心:華南和西南制造中心(惠州7.5萬㎡+南充3.5萬㎡)配備共3000多臺先進設(shè)備及檢測儀器;2024年新增3家半導(dǎo)體材料子公司,從源頭把控產(chǎn)能與交付效率。

              • 提供封裝測試OEM代工:支持樣品定制與小批量試產(chǎn),配合100多項專利技術(shù)與ISO9001、IATF16949認(rèn)證體系,讓“品質(zhì)優(yōu)先”貫穿從研發(fā)到交付的每一環(huán)。

              合科泰在始終以“客戶至上、創(chuàng)新驅(qū)動”為核心,為企業(yè)提供穩(wěn)定可靠的元件。


              (附:樣品申請/方案咨詢/小批量采購↓)

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              銷售電話:18823438533(微信同號)

              公司電話:0755-82565333

              電子郵箱:hkt@heketai.com

              營銷中心:廣東深圳市龍崗區(qū)康利城7棟8樓。

              制造中心:東莞市塘廈鎮(zhèn)莆心湖商業(yè)街183B,

                           四川省南充市高新區(qū)科創(chuàng)中心17、18號樓。




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