三星QLC閃存遭遇質量危機，規模量產推遲至2026上半年

近日消息，三星在其第九代V9 QLC NAND閃存技術的研發與生產上遭遇重大挫折，因產品被曝存在“根本性設計缺陷”，公司已決定推遲該產品的大規模量產計劃。這一變故不僅暴露了三星在高端存儲技術上的瓶頸，也可能對其在NAND閃存市場的領先地位構成嚴峻挑戰。

三星原計劃在其第九代V9 QLC NAND閃存技術上實現技術飛躍。該產品采用了先進的280層堆疊工藝，旨在進一步提升存儲密度、降低成本并優化性能，以應對AI時代對海量數據存儲的迫切需求。

然而，首批試產的V9 QLC芯片未能達到預期性能標準，暴露出嚴重的設計問題。這一“根本性缺陷”迫使三星不得不重新評估和調整其生產節奏。目前預計，V9 QLC的大規模量產時間將推遲至2026年上半年，比原計劃大幅延后。

目前，在市場份額上，三星依然保持著領先地位。數據顯示，2025年第二季度，三星以32.9%的市場份額穩居全球NAND閃存市場第一，其相關業務營收環比增長近24%，達到52億美元。然而，亮眼的市場份額背后，是其存儲業務部門（DS部門）經營利潤的急劇下滑。該季度，DS部門的經營利潤同比大幅減少94%，僅為0.4萬億韓元，這是近六個季度以來首次跌破萬億韓元大關，反映出其盈利能力正面臨巨大壓力。

此次QLC技術的延期，暴露出三星在激烈市場競爭中的被動局面。在三星陷入技術瓶頸的同時，其競爭對手卻在快速追趕甚至實現超越。日本存儲廠商Kioxia（鎧俠）已成功推出332層V10級NAND閃存，在堆疊層數上領先于三星的280層技術。而韓國另一大存儲巨頭SK hynix也在QLC領域取得突破，成功實現了321層2TB QLC NAND的量產。

相比之下，三星最新的高端QLC產品仍停留在上一代V7階段，甚至未能推出V8版本的QLC產品，在技術迭代速度上明顯落后。

QLC（Quad-Level Cell）閃存因其在單位成本上的顯著優勢，成為存儲海量“冷數據”的首選方案，尤其在AI服務器、云計算和大數據中心等領域需求激增。隨著AI技術的蓬勃發展，市場對高密度、低成本存儲的需求持續擴大。然而，三星QLC量產的推遲，可能導致其錯失這一關鍵市場機遇。有市場預測指出，到2026年，三星在QLC市場的份額可能僅占9%，遠低于其主要競爭對手，這將嚴重削弱其在下一代存儲技術格局中的話語權。

責編：Jimmy.zhang