三星電子與SK海力士已率先縮減NAND Flash晶圓產量。SK海力士2025年NAND晶圓出貨量預計從2024年的201萬顆降至180萬顆，降幅近10%。三星電子則通過內部調整產能結構，減少庫存并為價格談判創造空間。報道引述業內人士稱，此舉旨在“推高合約價格并穩定利潤率”，尤其在市場出現價格回升跡象的背景下。
據韓國《朝鮮日報》（ChosunBiz）報道，全球主要存儲芯片廠商包括三星電子、SK海力士、鎧俠及美光科技，正計劃于2025年下半年集體削減產量，以推動市場價格回升。此舉被視為行業擺脫兩年價格低迷、邁向周期性復蘇的關鍵信號。
韓媒披露：韓國廠商主動控產穩價
三星電子與SK海力士已率先縮減NAND Flash晶圓產量。SK海力士2025年NAND晶圓出貨量預計從2024年的201萬顆降至180萬顆，降幅近10%。三星電子則通過內部調整產能結構，減少庫存并為價格談判創造空間。報道引述業內人士稱，此舉旨在“推高合約價格并穩定利潤率”，尤其在市場出現價格回升跡象的背景下。
《朝鮮日報》報道稱，去年價格長期徘徊在成本水平的三星電子、SK海力士和鎧俠正致力于推動NAND價格上漲。據悉，三星電子在與主要海外客戶商討明年NAND供應量的同時，內部正在審議20%至30%甚至更高幅度的漲價方案。
根據市場研究機構Omdia12日發布的年度NAND閃存產量數據，三星電子已將今年NAND晶圓產量目標下調至約472萬片，較上年度的507萬片減少約7%。鎧俠的產量也從去年的480萬片調整至今年的469萬片。Omdia預計，三星電子和鎧俠的減產態勢將持續到明年。
SK海力士和美光也采取保守策略限制產量，以期從價格上漲中獲益。美光情況類似，其最大的NAND生產基地——新加坡Fab 7工廠的產量維持在30萬片左右的較低水平，供應策略保守。
價格回升趨勢顯現
隨著主要供應商協同控制產量，NAND產品的平均售價（ASP）正急劇上升。海外市場研究機構觀察顯示，僅上一季度就上漲15%的NAND價格，未來可能再飆升40%至50%以上。根據TrendForce數據，應用最廣泛的512Gb三層單元（TLC）NAND芯片的晶圓現貨價格較前一周上漲14.2%，達到5.51美元。現貨價格反映流通市場的即時交易價格，其上漲意味著產品獲取難度增加。
基于TLC的NAND供應量萎縮，也意味著主要NAND供應商正將重心轉向利潤率更高的QLC而非TLC。QLC和TLC指的是NAND閃存基本存儲單元（Cell）所能存儲的比特數。TLC每單元存儲3比特，而QLC每單元可存儲4比特。在相同面積下，QLC能比TLC多提供30%的容量，這對于制造AI數據中心所需的大容量固態硬盤（SSD）更為有利。
一位行業人士解釋道：“在將現有基于TLC的NAND生產線轉換為AI數據中心SSD所必需的QLC工藝過程中，部分TLC NAND生產設備會暫停，這在四大供應商中都自然產生了減產效應。”他補充說，“在設備轉換和工藝過渡期間產生的產量‘損失’導致市場價格飆升，這是行業慣例。”
TrendForce集邦咨詢的調查顯示，盡管2026年DRAM與NAND Flash的資本支出預計將繼續增長（DRAM資本支出預計增至613億美元，年增14%；NAND Flash資本支出預計增至222億美元，年增約5%），但投資重心已從傳統的產能擴張，轉向制程技術升級、高層數堆棧、混合鍵合以及HBM（高帶寬內存）等高附加價值產品。這種轉變，加之無塵室空間不足等物理限制，導致新增資本對實際位元產出增長的貢獻非常有限。各大廠商策略分化明顯，例如美光、SK海力士和三星的資本支出主要投向HBM4、1 gamma等先進制程；而鎧俠/閃迪則因專注于NAND業務，在擴產上相對積極。
這種結構性轉變意味著2026年存儲市場的供不應求狀態很可能將持續全年。驅動需求的核心因素是AI應用對存儲容量需求的急速攀升（如AI服務器需求爆發）以及HDD供應短缺導致的替代效應。因此，當前的供應緊張并非短期波動，而是由AI驅動的一次結構性短缺，預示著存儲市場可能進入一個由高附加值產品和技術升級主導的新周期。
監管與市場風險仍待觀察
此前有報道稱，總部位于美國的閃迪（SanDisk）從本月起已將NAND產品合約價格上調了約50%。由于北美大型科技公司擔憂NAND價格大幅上漲而進行“恐慌性采購”，有分析認為明年的NAND供應量或已被預訂一空。
三星、SK海力士等巨頭通過“戰略性減產”推動價格反彈，旨在擺脫兩年利潤低谷。
盡管減產有助于廠商恢復盈利，但全球監管機構可能關注是否存在“協同行為”。四大廠商合計掌握90%以上DRAM與NAND產能，其同步控產或引發供應波動。歐盟與美國此前已在半導體價格協調領域展開調查，若價格飆升過快，或觸發監管介入。
責編：Amy.wu
