立昂微斥資22.62億元擴產，加碼12英寸重摻襯底片布局

11月18日，立昂微發布對外投資公告，宣布其控股子公司金瑞泓微電子（衢州）有限公司（簡稱“金瑞泓微電子”）與衢州智造新城管理委員會簽署《投資協議書》，計劃在現有廠房內投資建設“年產180萬片12英寸重摻襯底片項目”，項目總投資額達22.62億元。

據公告披露，本次擴產項目選址于衢州智造新城東港片區盤龍南路52號的金瑞泓微電子現有廠房內，將利用約19000平方米廠房面積進行局部改造，通過購置單晶爐、拋光機等國內外先進設備，形成年產180萬片12英寸重摻襯底片的生產能力。

項目總投資中，固定資產投資占比達21.96億元，計劃于2025年12月31日前完成開工準備，整體建設周期約60個月，采取分階段建設、分階段投入、分階段產出的模式推進，預計每年投入金額約3.5億元。

從資金來源看，項目出資方式為現金，全部源于立昂微及子公司的自有資金與自籌資金，不涉及募集資金。立昂微明確表示，資金投入進度將結合公司資金狀況、市場供需狀況動態調節，每年3.5億元的投入規模不會對現有業務造成資金壓力，也不會影響生產經營活動的正常運行。項目預計投資收益率為7.76%，投產后將進一步完善公司在半導體硅片領域的產能布局。

此次擴產具有鮮明的戰略針對性。公告顯示，金瑞泓微電子現有重摻系列硅片產能已接近滿產，而當前新能源汽車、AI服務器、儲能等新興產業飛速發展，高端功率器件市場對重摻砷、重摻磷等系列的厚層、埋層等特殊規格硅外延片需求迫切。本次項目生產的12英寸重摻襯底片，正是制備此類高端產品的核心材料，終端可廣泛應用于AI服務器不間斷電源、儲能變流器、充電樁、工業電子及汽車電子等領域。

技術層面，金瑞泓微電子已掌握12英寸硅片成套工藝核心技術，項目將采用自主開發的重摻雜直拉硅單晶制備、微量摻鍺直拉硅單晶等關鍵技術，確保產品性能滿足高端市場需求。值得注意的是，該項目可與金瑞泓微電子現有“年產180萬片12英寸半導體硅外延片項目”形成上下游配套，構建從襯底片到外延片的一體化生產能力，有效優化產品結構、提升產品豐富度。

立昂微指出，項目實施后將顯著提升公司重摻系列硅片生產能力，有助于鞏固市場頭部地位，同時將提高我國半導體硅片的自主化水平，匹配國內晶圓廠發展需求，提升整個半導體產業鏈競爭力，符合公司發展戰略及全體股東利益。不過由于項目建設周期較長，預計對2025年度經營業績不會產生重大影響。