三星HBM4通過內部認證，加速搶奪英偉達訂單

近日，三星電子HBM4芯片已成功通過量產準備認證（PRA），標志著該產品正式達到內部量產標準，并正全力沖刺英偉達的最終質量測試（Qualtest），為進入下一代GPU“Rubin”供應鏈鋪平道路。

長期以來，SK海力士憑借先發優勢牢牢掌控HBM供應命脈。在與英偉達就HBM4的談判中，該公司展現出極強的議價能力，成功將單價推高至“500美元中半帶”——較HBM3E上漲逾50%。這一價格不僅被英偉達最終接受，更反映出SK海力士在技術、產能與客戶信任上的綜合壁壘。

為支撐更高性能，SK海力士甚至將原本自主生產的基礎裸片（Base Die）轉交臺積電代工，采用先進邏輯制程以優化能效與信號完整性，進一步鞏固其產品競爭力。

相比之下，三星電子在HBM4初期遭遇挫折。此前因未能通過英偉達嚴苛的質量測試，其供貨計劃一度受阻，被迫回爐優化設計，重點攻克散熱與TSV（硅通孔）對準精度等關鍵瓶頸。

然而，憑借對1c節點DRAM工藝的持續打磨，以及將基礎芯片升級至4納米邏輯制程，三星顯著提升了HBM4的整體能效比與穩定性。此次通過PRA，被視為其技術短板補齊的重要節點，也為贏得英偉達“第二供應商”身份打開窗口。

對英偉達而言，引入三星作為HBM4的備選供應商具有戰略必要性。一方面，單一依賴SK海力士導致采購成本高企，削弱其毛利率；另一方面，隨著Rubin GPU計劃于2025年下半年量產，HBM需求將激增，多源供應可有效緩解產能風險。

黃仁勛此前已公開表示：“三星的HBM顯存芯片測試合格，合作進展順利。”此番表態釋放出明確信號：英偉達正積極推動供應鏈多元化。

HBM4本身的技術躍遷也為競爭加碼。其I/O通道數從HBM3E的1024個翻倍至2048個，帶寬大幅提升，但同時也帶來更高的功耗與熱密度。這要求廠商在材料、封裝、散熱及基礎芯片設計上實現系統級協同。三星此次突破，正是基于全棧技術整合能力的體現。

若三星成功打入英偉達HBM4供應鏈，不僅將重塑市場供需平衡，還可能抑制SK海力士的進一步提價空間。盡管后者憑借先發優勢仍占據主導，但三星的加入將增強買方議價能力，推動HBM市場從“賣方市場”向“競合市場”過渡。

長遠來看，美光亦計劃于2025年量產HBM4，并同樣瞄準臺積電代工基礎芯片，未來HBM市場或形成“三足鼎立”之勢。但在2025年關鍵窗口期，誰能率先穩定供貨、保障良率，誰就將掌握AI硬件生態的話語權。

責編：Jimmy.zhang