三星HBM4通過(guò)內(nèi)部認(rèn)證，加速搶奪英偉達(dá)訂單

近日，三星電子HBM4芯片已成功通過(guò)量產(chǎn)準(zhǔn)備認(rèn)證（PRA），標(biāo)志著該產(chǎn)品正式達(dá)到內(nèi)部量產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)，并正全力沖刺英偉達(dá)的最終質(zhì)量測(cè)試（Qualtest），為進(jìn)入下一代GPU“Rubin”供應(yīng)鏈鋪平道路。

長(zhǎng)期以來(lái)，SK海力士憑借先發(fā)優(yōu)勢(shì)牢牢掌控HBM供應(yīng)命脈。在與英偉達(dá)就HBM4的談判中，該公司展現(xiàn)出極強(qiáng)的議價(jià)能力，成功將單價(jià)推高至“500美元中半帶”——較HBM3E上漲逾50%。這一價(jià)格不僅被英偉達(dá)最終接受，更反映出SK海力士在技術(shù)、產(chǎn)能與客戶信任上的綜合壁壘。

為支撐更高性能，SK海力士甚至將原本自主生產(chǎn)的基礎(chǔ)裸片（Base Die）轉(zhuǎn)交臺(tái)積電代工，采用先進(jìn)邏輯制程以優(yōu)化能效與信號(hào)完整性，進(jìn)一步鞏固其產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力。

相比之下，三星電子在HBM4初期遭遇挫折。此前因未能通過(guò)英偉達(dá)嚴(yán)苛的質(zhì)量測(cè)試，其供貨計(jì)劃一度受阻，被迫回爐優(yōu)化設(shè)計(jì)，重點(diǎn)攻克散熱與TSV（硅通孔）對(duì)準(zhǔn)精度等關(guān)鍵瓶頸。

然而，憑借對(duì)1c節(jié)點(diǎn)DRAM工藝的持續(xù)打磨，以及將基礎(chǔ)芯片升級(jí)至4納米邏輯制程，三星顯著提升了HBM4的整體能效比與穩(wěn)定性。此次通過(guò)PRA，被視為其技術(shù)短板補(bǔ)齊的重要節(jié)點(diǎn)，也為贏得英偉達(dá)“第二供應(yīng)商”身份打開窗口。

對(duì)英偉達(dá)而言，引入三星作為HBM4的備選供應(yīng)商具有戰(zhàn)略必要性。一方面，單一依賴SK海力士導(dǎo)致采購(gòu)成本高企，削弱其毛利率；另一方面，隨著Rubin GPU計(jì)劃于2025年下半年量產(chǎn)，HBM需求將激增，多源供應(yīng)可有效緩解產(chǎn)能風(fēng)險(xiǎn)。

黃仁勛此前已公開表示：“三星的HBM顯存芯片測(cè)試合格，合作進(jìn)展順利。”此番表態(tài)釋放出明確信號(hào)：英偉達(dá)正積極推動(dòng)供應(yīng)鏈多元化。

HBM4本身的技術(shù)躍遷也為競(jìng)爭(zhēng)加碼。其I/O通道數(shù)從HBM3E的1024個(gè)翻倍至2048個(gè)，帶寬大幅提升，但同時(shí)也帶來(lái)更高的功耗與熱密度。這要求廠商在材料、封裝、散熱及基礎(chǔ)芯片設(shè)計(jì)上實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)級(jí)協(xié)同。三星此次突破，正是基于全棧技術(shù)整合能力的體現(xiàn)。

若三星成功打入英偉達(dá)HBM4供應(yīng)鏈，不僅將重塑市場(chǎng)供需平衡，還可能抑制SK海力士的進(jìn)一步提價(jià)空間。盡管后者憑借先發(fā)優(yōu)勢(shì)仍占據(jù)主導(dǎo)，但三星的加入將增強(qiáng)買方議價(jià)能力，推動(dòng)HBM市場(chǎng)從“賣方市場(chǎng)”向“競(jìng)合市場(chǎng)”過(guò)渡。

長(zhǎng)遠(yuǎn)來(lái)看，美光亦計(jì)劃于2025年量產(chǎn)HBM4，并同樣瞄準(zhǔn)臺(tái)積電代工基礎(chǔ)芯片，未來(lái)HBM市場(chǎng)或形成“三足鼎立”之勢(shì)。但在2025年關(guān)鍵窗口期，誰(shuí)能率先穩(wěn)定供貨、保障良率，誰(shuí)就將掌握AI硬件生態(tài)的話語(yǔ)權(quán)。

責(zé)編：Jimmy.zhang