SK海力士推遲HBM4量產：技術躍進和市場需求雙重挑戰

12月8日消息，韓國媒體ZDNet Korea披露，存儲巨頭SK海力士已正式推遲第六代HBM4的量產與擴產計劃——原定2026年2月啟動量產、第二季度擴大產能的安排，現延后至2026年3–4月量產，第三季度才開始放量。

這一調整不僅反映出先進存儲技術落地的復雜性，更揭示了AI芯片生態中供需錯配與制造瓶頸的深層關系。而SK海力士推遲HBM4 量產，意味著所需材料和零組件供應速度也放緩。

據悉，SK海力士HBM4邏輯芯粒由臺積電代工，意味著SK海力士需與外部Foundry深度協同，打破過去DRAM垂直整合的慣性。這種跨工藝、跨廠商的集成模式，在良率爬坡和量產一致性上天然更具不確定性。當然，市場需求也是影響HBM4規模化量產的另一大原因。

HBM4本被視為英偉達下一代AI旗艦芯片“Rubin”的標配內存。Rubin預計于2026年接棒當前Blackwell架構，性能目標大幅提升，對內存帶寬提出前所未有的要求。

為此，HBM4在技術上實現重大突破：I/O端口數量從HBM3E的1,024個倍增至2,048個，數據傳輸通道近乎翻番；同時，用于控制HBM的邏輯芯粒（logic die）將首次放棄傳統DRAM制程，轉而采用臺積電的先進晶圓代工工藝，以提升信號完整性與能效比。這些創新雖極具前瞻性，卻也顯著抬高了制造難度與驗證周期。

據消息人士透露，SK海力士此前已為配合英偉達需求，試產約2萬至3萬顆HBM4樣品供質量驗證。但近期雙方就2026年供貨計劃溝通后發現，英偉達大幅上調HBM3E采購量，暗示其Rubin芯片可能面臨延期。

背后原因多重：一方面，Rubin追求極致性能，對HBM4與CoWoS先進封裝的協同要求極高；另一方面，臺積電CoWoS 2.5D封裝產能持續緊張，已成為整個AI芯片供應鏈的“卡脖子”環節。在此背景下，英偉達選擇延長Blackwell生命周期，優先保障現有產品交付。

面對客戶需求的轉向，SK海力士迅速調整策略：2026年上半年仍將HBM3E作為生產重心，確保Blackwell GPU的穩定供應。該公司回應稱：“雖無法確認具體經營細節，但將根據市場需求靈活應對。”

責編：Jimmy.zhang