英特爾Fab 52滿載月產(chǎn)能達(dá)4萬(wàn)片晶圓，2027年良率達(dá)先進(jìn)水平

英特爾正努力在制程技術(shù)和全球先進(jìn)產(chǎn)能方面追趕臺(tái)積電，但在美國(guó)市場(chǎng)，這家芯片巨頭仍然無(wú)人能敵。據(jù)報(bào)道，英特爾的Fab 52工廠比臺(tái)積電目前的Fab 21一期和即將投產(chǎn)的Fab 21二期工廠更為先進(jìn)，其產(chǎn)能相當(dāng)于這兩個(gè)工廠的總和。

英特爾Fab 52工廠旨在生產(chǎn)采用英特爾18A（1.8nm級(jí)）及更先進(jìn)工藝技術(shù)的芯片，這些工藝技術(shù)使用環(huán)柵（GAA）RibbonFET晶體管以及PowerVia背面供電網(wǎng)絡(luò)。該工廠的產(chǎn)能為每周1萬(wàn)片晶圓，滿負(fù)荷運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)每月約4萬(wàn)片晶圓*（WSPM），按如今標(biāo)準(zhǔn)來(lái)看，這確實(shí)是一個(gè)非常龐大的晶圓廠。

據(jù)@IntelProMUltra觀察，目前，F(xiàn)ab 52配備了四臺(tái)ASML Twinscan NXE低數(shù)值孔徑EUV光刻系統(tǒng)，其中包括至少一臺(tái)NXE:3800E ——ASML最先進(jìn)的低數(shù)值孔徑EUV光刻機(jī)，它借鑒了下一代高數(shù)值孔徑EUV光刻機(jī)的晶圓處理裝置、更快的晶圓平臺(tái)和光源，因此在30 mJ/cm2 的劑量下，每小時(shí)可處理多達(dá)220片晶圓。該工廠還擁有三臺(tái)NXE:3600D系統(tǒng)，在30 mJ/cm2的劑量下，每小時(shí)可處理160片晶圓。

此外，英特爾在亞利桑那奧科蒂洛的“硅沙漠”園區(qū)預(yù)留了至少15臺(tái)EUV光刻機(jī)的安裝空間，未來(lái)可能引入更高數(shù)值孔徑（High-NA）機(jī)型，進(jìn)一步鞏固技術(shù)壁壘。

與臺(tái)積電Fab 21一期工程（采用臺(tái)積電N4和N5工藝生產(chǎn)芯片）相比，英特爾Fab 52能夠采用更先進(jìn)的制程節(jié)點(diǎn)（低至1.8納米及以下）生產(chǎn)芯片，并且每月晶圓處理量是其兩倍。但盡管技術(shù)領(lǐng)先，F(xiàn)ab 52的量產(chǎn)進(jìn)度仍受制于18A制程的良率爬坡。目前該工廠正小批量試產(chǎn)搭載18A技術(shù)的“Panther Lake”處理器，但英特爾預(yù)計(jì)需至2027年初才能使良率達(dá)到行業(yè)頂尖水平。在此之前，F(xiàn)ab 52的CPU產(chǎn)能將受限，部分產(chǎn)線可能處于閑置狀態(tài)。反觀臺(tái)積電，其美國(guó)工廠采用成熟制程快速量產(chǎn)策略，可迅速實(shí)現(xiàn)接近滿載的利用率。（校對(duì)/趙月）