時(shí)隔一年，三星電子重返全球DRAM市場(chǎng)第一

三星電子時(shí)隔一年重奪全球DRAM市場(chǎng)份額第一的寶座，同時(shí)在去年第四季度創(chuàng)下公司有史以來(lái)最高的季度營(yíng)業(yè)利潤(rùn)。

市場(chǎng)研究公司Counterpoint Research 1月8日發(fā)布的數(shù)據(jù)顯示，三星電子去年第四季度存儲(chǔ)半導(dǎo)體業(yè)務(wù)營(yíng)收達(dá)259億美元，環(huán)比增長(zhǎng)34%。存儲(chǔ)半導(dǎo)體業(yè)務(wù)預(yù)計(jì)將占三星電子總營(yíng)收（93萬(wàn)億韓元）的約40%。其中，DRAM營(yíng)收為192億美元，NAND營(yíng)收為67億美元。同期，SK海力士的存儲(chǔ)業(yè)務(wù)總營(yíng)收為224億美元，其中DRAM營(yíng)收為171億美元，NAND營(yíng)收為53億美元。

三星電子時(shí)隔一年從SK海力士手中奪回了DRAM市場(chǎng)份額第一的寶座。三星電子在DRAM市場(chǎng)保持領(lǐng)先地位長(zhǎng)達(dá)約30年，直至2024年第四季度，但在去年第一季度首次將這一地位拱手讓給了SK海力士。

Counterpoint Research首席研究分析師Choi Jung-gu表示：“三星電子對(duì)通用DRAM（尤其是服務(wù)器領(lǐng)域）的客戶需求趨勢(shì)反應(yīng)良好，第六代HBM（HBM4）中采用的先進(jìn)1c工藝節(jié)點(diǎn)和4納米邏輯工藝，在速度和散熱方面都滿足了客戶的需求，并取得了良好的效果。”（校對(duì)/李梅）