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              歷史性逆轉(zhuǎn)!SK海力士年度利潤(rùn)首超三星,HBM成關(guān)鍵因素

              2026-01-29 來源:國(guó)際電子商情
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              關(guān)鍵詞: SK海力士 三星 HBM

              國(guó)際電子商情29日訊 近日,SK海力士和三星這兩家韓國(guó)半導(dǎo)體巨頭相繼公布2025財(cái)年業(yè)績(jī)報(bào)告,兩家的業(yè)績(jī)數(shù)據(jù)均創(chuàng)歷史新高!

              SK海力士2025財(cái)年?duì)I業(yè)收入達(dá)97.1467萬億韓元,營(yíng)業(yè)利潤(rùn)為47.2063萬億韓元,凈利潤(rùn)為42.9479萬億韓元,營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率達(dá)到49%。相較2024年66.1930萬億韓元的營(yíng)收和23.4673萬億韓元的營(yíng)業(yè)利潤(rùn),2025年公司營(yíng)收增長(zhǎng)超過30萬億韓元,營(yíng)業(yè)利潤(rùn)實(shí)現(xiàn)翻倍增長(zhǎng)。其中2025Q4表現(xiàn)尤為突出,營(yíng)收32.8267萬億韓元,環(huán)比增長(zhǎng)34%,營(yíng)業(yè)利潤(rùn)19.1696萬億韓元,環(huán)比增長(zhǎng)68%,營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率高達(dá)58%,三項(xiàng)指標(biāo)均創(chuàng)歷史新高。

              另一方面,三星電子2025年業(yè)績(jī)同樣創(chuàng)下紀(jì)錄,全年銷售額為333.6059萬億韓元,營(yíng)業(yè)利潤(rùn)達(dá)43.6011萬億韓元,凈利潤(rùn)為45.2068萬億韓元。其中第四季度營(yíng)業(yè)利潤(rùn)同比激增209.2%,達(dá)到20.0737萬億韓元。

              值得一提的是,盡管三星電子在總營(yíng)收規(guī)模上保持領(lǐng)先,但SK海力士在營(yíng)業(yè)利潤(rùn)這一關(guān)鍵指標(biāo)上實(shí)現(xiàn)了對(duì)三星電子的反超,這是自2012年SK集團(tuán)收購海力士以來首次出現(xiàn),或標(biāo)志著全球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)進(jìn)入新的競(jìng)爭(zhēng)階段。

              分析指出,這一業(yè)績(jī)逆轉(zhuǎn)與兩家公司在高帶寬內(nèi)存(HBM)市場(chǎng)的表現(xiàn)密切相關(guān)。SK海力士在HBM銷售額同比增長(zhǎng)超過一倍,成為推動(dòng)其業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)的核心動(dòng)力。據(jù)Counterpoint Research數(shù)據(jù),2025年第三季度SK海力士在HBM市場(chǎng)的收入份額達(dá)到57%,而三星為22%。SK海力士已成功量產(chǎn)第六代10納米級(jí)DDR5 DRAM,并開發(fā)出業(yè)界最高容量256GB服務(wù)器DDR5 RDIMM模塊。在NAND閃存領(lǐng)域,公司完成321層QLC產(chǎn)品研發(fā),并通過企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤需求創(chuàng)下年度銷售額新高。

              技術(shù)布局方面,SK海力士表示已構(gòu)建HBM4量產(chǎn)體系,并正按客戶要求進(jìn)行量產(chǎn)。公司計(jì)劃通過韓國(guó)清州M15X工廠產(chǎn)能最大化和建設(shè)龍仁集群首座工廠來擴(kuò)充產(chǎn)能,同時(shí)推進(jìn)清州P&T7工廠和美國(guó)印第安納州先進(jìn)封裝工廠建設(shè),以構(gòu)建全球一體化制造能力。

              三星電子正在積極應(yīng)對(duì)市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng),計(jì)劃在2026年開始交付第六代HBM4產(chǎn)品。分析機(jī)構(gòu)預(yù)計(jì),雖然SK海力士將保持HBM4市場(chǎng)的高份額,但三星有望在新一代產(chǎn)品上取得實(shí)質(zhì)性進(jìn)展。