驍龍888發燒原因終于找到了！

高通當下的高端芯片驍龍888被吐槽發熱嚴重,業界一度懷疑是高通的技術問題所致,不過近日臺媒digitimes的分析或許讓高通沉冤得雪,發熱問題在于三星的芯片制造工藝落后。

目前芯片制造廠臺積電和三星主要是根據晶體管的寬度來劃分的先進工藝制程,不過早在數年前Intel就曾詳細列舉臺積電和三星的10nm與Intel的14nm工藝做比較,指出它們的10nm工藝不如Intel的10nm。

近日臺媒Digitimes對Intel、臺積電、三星的工藝進行比較,以晶體管密度(每平方毫米晶體管數量)作為參考指標,從10nm、7nm、5nm、3nm、2nm進行對比,其中Intel的5nm和3nm為預估值,臺積電和三星的3nm、2nm工藝為預估值。

根據Digitimes的分析,就晶體管密度而言,臺積電和三星的7nm工藝分別只有0．97億顆、0．95億顆晶體管,落后于Intel的1．06億顆晶體管,而且在5nm工藝之后它們與Intel的差距進一步擴大,其中三星落后的幅度更大。

Digitimes預估臺積電的5nm工藝只能達到1．73億顆晶體管,低于Intel的7nm工藝的1．8億顆晶體管;三星則更為落后,三星的5nm工藝只能達到1．27億顆晶體管,預估三星的3nm工藝才能達到1．7億顆晶體管。即是說臺積電的5nm工藝落后于Intel的7nm工藝,而三星的3nm工藝又落后于三星的5nm工藝。

Digitimes的分析還是有一定道理的,三星的工藝早在14/16nm工藝上就已稍微落后于臺積電,當時三星以14nm工藝和臺積電以16nm工藝生產蘋果的A9處理器,結果被測試機構發現臺積電以16nm工藝生產的A9處理器在功耗方面要低于三星的14nm,此后蘋果的A系處理器就全數交給臺積電代工生產,而三星則獨攬高通的高端芯片。

此前三星為高通生產的高端芯片表現不錯,不過今年它為高通生產的驍龍888芯片卻出現了發熱問題,多款采用驍龍888芯片的手機在長時間使用后會出現溫度偏高的問題,隨后為解決這一問題,一些手機企業不得不降低驍龍888的主頻。

隨后高通又史無前例的推出了驍龍865的第二款升頻芯片驍龍870,這是它首次對一款舊款高端芯片連續提高主頻推出驍龍865plus和驍龍870,安兔兔測試顯示驍龍888的性能與驍龍870差不多,由于驍龍888采用了更先進的X1核心和5nm工藝,按ARM的預計驍龍888的性能應該能比驍龍865提升三成左右,而驍龍888的實際表現顯然讓人失望。

如今Digitimes的分析或許能解釋驍龍888的發熱問題,主要原因應該就是三星的5nm工藝未能達到預期,從而降低X1核心的功耗,導致了這一問題。據悉高通下一款芯片驍龍895將繼續采用驍龍888的架構,芯片工藝則升級到三星的3nm工藝,在采用了三星更先進的工藝之后或許驍龍895不會再出現發熱問題,而性能應該能達到ARM對X1核心的預期。

外媒認為臺積電和三星對于先進工藝制程的命名如此激進,在于它們之間的競爭頗為激烈,當時14/16nm工藝的命名就讓臺積電吃了點小虧,此后雙方開始在工藝命名上進行比賽,而Intel則堅持按自己的節奏研發先進工藝而在命名上采取保守策略,導致Intel在芯片制造工藝推進上落后于臺積電和三星。