臺(tái)積電、三星nm制程摻水，intel放棄nm制程叫法重命名

眾所周知，在14nm芯片工藝節(jié)點(diǎn)前，像臺(tái)積電、三星、intel等制造廠都是嚴(yán)格的按照摩爾定律來(lái)制造芯片的，那就是每18個(gè)月，晶體管密度就要翻一倍。

同時(shí)所謂的nm制程，是指晶體管的溝道長(zhǎng)度，溝道長(zhǎng)度是多少，就是多少nm工藝節(jié)點(diǎn)，嚴(yán)格對(duì)應(yīng)的。

但后來(lái)隨著芯片越來(lái)越先進(jìn)，摩爾定律已經(jīng)很難實(shí)現(xiàn)了，因?yàn)榫w管慢慢的接近原子大小了。于是從10nm開(kāi)始，臺(tái)積電、三星等就不再?lài)?yán)格按照摩爾定律來(lái)了，同時(shí)在制程工藝上，也就開(kāi)始了摻水。

具體來(lái)看，溝道長(zhǎng)度與XXnm不再有直接對(duì)應(yīng)關(guān)系了，這個(gè)是臺(tái)積電高管曾承認(rèn)的，說(shuō)XXnm更多的是營(yíng)銷(xiāo)游戲了。另外從晶體管密度來(lái)看，也不再?lài)?yán)格遵守18個(gè)月翻一倍的規(guī)則了。

而為了證明這一點(diǎn)，前段時(shí)間Digitimes就分析了臺(tái)積電、三星、Intel及IBM四家廠商10nm、7nm、5nm、3nm及2nm的晶體管密度情況。

我們發(fā)現(xiàn)三星的芯片，在相同的節(jié)點(diǎn)，密度是最低的，而臺(tái)積電好一些，英特爾是最高的，可以說(shuō)只有英特爾是真的在遵守摩爾定律的。

但或許也因?yàn)槿绱?，所以英特爾?duì)外公布的工藝節(jié)點(diǎn)是最落后的，因?yàn)槟壳安?0nm，而三星、臺(tái)積電都已經(jīng)5nm了。

可能也感受到了這些，所以英特爾近日做了一個(gè)重要決定，公布了公司有史以來(lái)最詳細(xì)的制程工藝和封裝技術(shù)路線圖，并徹底的拋棄nm工藝叫法。

簡(jiǎn)單的來(lái)講，就是從下一代芯片開(kāi)始，intel不會(huì)再說(shuō)這是7nm，或者5nm，或者3nm，1nm等工藝了，而是起了一個(gè)新的命名。

下一代芯片，英特爾稱(chēng)之為intel7，再是intel4、再是intel3，再到intel 20A…… 從這些命名，你能看出來(lái)是多少nm的么？已經(jīng)不能了。

而在芯片每一代工藝對(duì)比上，英特爾采用的上每瓦性能將提升來(lái)說(shuō)，比如Intel 7與英特爾10nm相比，每瓦性能將提升約10％－15％，而intel4與上一代相比，每瓦性能約提升20％，而Intel 3較Intel 4將在每瓦性能上提升約18％。

對(duì)此，不知道大家怎么看？很明顯，intel不愿意像臺(tái)積電、三星一樣在工藝節(jié)點(diǎn)上進(jìn)行摻水，所以不想用這種nm命名，因?yàn)檫@樣會(huì)顯得自己嚴(yán)重落后于三星、臺(tái)積電。

所以intel啟用新的命名，這樣大家不會(huì)將自己的工藝與臺(tái)積電、三星來(lái)橫向?qū)Ρ攘耍吘筰ntel4究竟是幾nm，誰(shuí)也不知道啊。