意法半導體成功制造出8寸碳化硅晶圓
自從芯片被發明出來后,短短幾十年就成為了全球科技產業的基礎,小小的一顆芯片,牽動著全球的神經,特別是在近兩年,表現更為突出。
而芯片發展到現在,也經歷了所謂的三代,其中硅基芯片是第一代半導體,而GaAs、InP等認為是第二代半導體材料,而將Sic、GaN等認為是第三代半導體材料。
雖然目前硅基芯片依然占了全球芯片產業的90%以上,但并不妨礙大家研究發展更多的芯片材料,畢竟尋找到一種可替代硅的新材料,就有可能改變全球的芯片產業格局。
而隨著電動汽車、5G等技術的到來,大家認為第三代半導體材料為基礎的芯片產業,應該能夠得到大大的發展,所以全球都在研究第三代半導體材料,比如SiC、GaN等。
目前GaN的應用比較多了,特別是在充電技術領域,比如電動車、甚至手機快速充電器領域,都應用了GaN技術。
而昨天,“意法半導體中國”官方微信宣布,意法半導體(簡稱“ST”)瑞典北雪平工廠成功制造出了,全球第一批200mm (8英寸)碳化硅(SiC)晶圓片,這些晶圓將用于生產下一代電力電子芯片的產品原型。
SiC材料不像硅,制造是比較難的,一方面是因為它太硬了,碳化硅單晶材料莫氏硬度分布在9．2～9．6之間,僅僅比金剛石的硬度低0．5左右。另外一方面比較脆,所以制造成大的晶圓是比較困難的,加工門檻非常高。
但SiC半導體具有耐高溫、耐高壓、高頻、大功率、抗輻射等特點,主要應用于高壓輸變電、軌道交通、電動汽車、通訊基站等重要領域。
目前在SiC晶圓這一塊,排在第一位的Cree差不多占了60%的市場,其次是美國II-VI公司,市場份額約為16%,現在ST能夠制造出8寸的SiC晶圓時,代表著其在第三代半導體技術上,也達到了全球領先的地步,或將改變全球SiC的產業格局。
但從另外一方面來看,那就是我們真的要加油了,第一代半導體我們是比較落后了,第二代半導體也沒能領先,現在第三代可不能再落后了。
