適用于熱插拔的Nexperia新款特定應用MOSFET （ASFET）將SOA增加了166％，并將PCB占用空間減小80％

（企業供圖）

新推出的80 V和100 V器件最大限度降低額定值，并改善均流，從而提供最佳性能、高可靠性并降低系統成本

奈梅亨，2021年8月4日：基礎半導體器件領域的專家Nexperia今日宣布推出新款80 V和100 V ASFET，新器件增強了SOA性能，適用于5G電信系統和48 V服務器環境中的熱插拔與軟啟動應用以及需要e－fuse和電池保護的工業設備。

ASFET是一種新型MOSFET，經過優化，可用于特定應用場景。通過專注于對某一應用至關重要的特定參數，有時需要犧牲相同設計中其他較不重要的參數，以實現全新性能水平。新款熱插拔ASFET將Nexperia的最新硅技術與銅夾片封裝結構相結合，顯著增強安全工作區（SOA）并最大限度縮小PCB面積。

以前，MOSFET深受Spirito效應的影響，導致SOA性能因在較高電壓下的熱不穩定性而迅速下降。Nexperia堅固耐用的增強型SOA技術消除了“Spirito－knee”，與前幾代D2PAK相比，在50 V時SOA增加了166％。

另一項重要改進是數據手冊中添加了125 °C SOA特性。Nexperia國際產品高級營銷經理Mike Becker表示：“以前只在25 °C時指定SOA，這意味著在高溫環境中的操作，設計師必須進行降額。我們的新款熱插拔ASFET包括125 °C SOA規范，消除了該耗時的任務，并證實了Nexperia的器件即使在高溫下也具有出色的性能。”

全新PSMN4R2－80YSE（80 V，4．2 m）和PSMN4R8－100YSE（100 V，4．8 m）熱插拔ASFET采用兼容Power－SO8的LFPAK56E封裝。該封裝獨特的內部銅夾片結構提高了熱性能與電氣性能，同時大大減小了管腳尺寸。  全新的LFPAK56E產品尺寸僅為5 mm x 6 mm x 1．1 mm，與上一代D2PAK相比，PCB管腳尺寸和器件高度分別縮小80％和75％。此外，器件的最大結溫為175 °C，符合IPC9592對電信和工業應用的規定。

Becker補充道：“另外一個優點是在需要多個熱插拔MOSFET并聯使用的高功率應用中，使均流能力得到改善，從而提高了可靠性并降低了系統成本， Nexperia被廣泛認為是熱插拔MOSFET市場領導者。憑借這些最新的ASFET，我們再一次提高了標準。”

新款熱插拔ASFET是最新器件，將在Nexperia位于英國曼徹斯特的新8英寸晶圓生產廠制造，已準備好批量生產。

關于Nexperia

Nexperia，作為生產大批量基礎半導體器件的專家，其產品廣泛應用于全球各類電子設計。公司豐富的產品組合包括二極管、雙極性晶體管、ESD保護器件、MOSFET器件、氮化鎵場效應晶體管（GaN FET）以及模擬IC和邏輯IC。Nexperia總部位于荷蘭奈梅亨，每年可交付900多億件產品，產品符合汽車行業的嚴苛標準。其產品在效率（如工藝、尺寸、功率及性能）方面獲得行業廣泛認可，擁有先進的小尺寸封裝技術，可有效節省功耗及空間。

憑借幾十年來的專業經驗，Nexperia持續不斷地為全球各地的優質企業提供高效的產品及服務，并在亞洲、歐洲和美國擁有超過12，000名員工。Nexperia是聞泰科技股份有限公司（600745．SS）的子公司，擁有龐大的知識產權組合，并獲得了IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001和OHSAS 18001認證。