英飛凌推出全新650 V CoolSiC Hybrid IGBT分立器件系列
近日，英飛凌科技股份有限公司推出 650 V CoolSiC Hybrid IGBT 單管產(chǎn)品組合，具有650 V阻斷電壓。新款CoolSiC Hybrid產(chǎn)品系列結(jié)合了650 V TRENCHSTOP? 5 IGBT技術(shù)和碳化硅肖特基二極管的主要優(yōu)點，具備出色的開關(guān)速度和更低的開關(guān)損耗，特別適用于 DC-DC 功率變換器和PFC電路。其常見應(yīng)用包括：電動車輛充電設(shè)施、儲能系統(tǒng)、光伏逆變器、不間斷電源系統(tǒng) (UPS)，以及服務(wù)器和電信用開關(guān)電源 (SMPS)。
由于續(xù)流SiC肖特基二極管與 IGBT 在共同封裝中，在 dv/dt 和 di/dt 值幾乎不變情況下，CoolSiC Hybrid IGBT能大幅降低開關(guān)損耗。與標(biāo)準(zhǔn)的硅二極管解決方案相比，新產(chǎn)品可降低多達 60% 的 Eon 和30%的Eoff。或者，也可在輸出功率保持不變情況下，提高開關(guān)頻率至少40%。較高的開關(guān)頻率有助于縮小無源元件的尺寸，進而降低物料清單成本。該Hybrid IGBT可直接替代TRENCHSTOP5 IGBT，無需重新設(shè)計，便能使每10 kHz開關(guān)頻率提升0.1%的效率。
此產(chǎn)品系列可作為純硅解決方案和高性能SiC MOSFET設(shè)計之間的另一種選擇，與純硅設(shè)計相比，Hybrid IGBT可提升電磁相容性和系統(tǒng)可靠性。由于SiC肖特基二極管能快速換流，而不會有嚴(yán)重的振蕩和寄生導(dǎo)通的風(fēng)險。此系列提供TO-247-3或TO-247-4引腳的Kelvin Emitter封裝供客戶選擇。Kelvin Emitter封裝的第四管腳可實現(xiàn)超低電感的柵極驅(qū)動控制回路，并降低總開關(guān)損耗。
目前，深圳科士達科技股份有限公司已成功導(dǎo)入650 V CoolSiC? Hybrid IGBT單管在其UPS與組串式光伏逆變器的新平臺設(shè)計中，從而提升系統(tǒng)效率，優(yōu)化系統(tǒng)性能。
深圳科士達科技股份有限公司董事長劉程宇就此表示：“科士達將與英飛凌有長年戰(zhàn)略合作歷程，持續(xù)在不間斷電源與太陽能領(lǐng)域提供高可靠性的前沿科技產(chǎn)品，我們將在未來繼續(xù)合作，在縱深的基礎(chǔ)上開展更廣泛的合作發(fā)展。”
英飛凌科技副總裁、工業(yè)功率控制事業(yè)部大中華區(qū)負責(zé)人于代輝表示：“我們的創(chuàng)新來自于技術(shù)進步和客戶的需求。把Hybrid IGBT技術(shù)從模塊導(dǎo)入到單管，以滿足客戶對高能效系統(tǒng)的追求，滿足系統(tǒng)設(shè)計的靈活性，從而提高客戶的競爭能力。”
供貨情況
CoolSiC Hybrid分立式IGBT系列延續(xù)先前所推出采用IGBT和CoolSiC肖特基二極管的CoolSiC Hybrid IGBT EasyPACK? 1B和2B模塊的成功經(jīng)驗。此分立式產(chǎn)品組合即日起接受訂購。系列包含與半額定CoolSiC第6代二極管共同封裝的40A、50A 和 75A 650 V TRENCHSTOP 5超高速H5 IGBT，或與全額定CoolSiC第6代二極管共同封裝的中等速度S5 IGBT。
