英飛凌：碳化硅、氮化鎵功率元件 5 年內成本將逐步降低

根據 Digitimes 報道，半導體廠商英飛凌大中華區電源與感測系統事業部協理陳志星日前表示，該公司的 SiC（碳化硅）、GaN（氮化鎵）等新材料產品已經走入量產，未來這類功率芯片的制造從主流的 6 英寸廠轉移到 8 英寸晶圓廠生產，是國際大廠共同看好的趨勢。

陳志星指出，SiC、GaN 相關寬能隙 (WBG) 功率元件價格已經出現很大的降幅，但成本仍是打開市場的關鍵。碳化硅、氮化鎵兩類芯片的價格差距不大，但是這這兩種產品與單純的 Si 硅產品之間成本差距確實存在，目前成本還比較高昂。

英飛凌預測，未來在生產規模、產能投資、良率控制等方面的共同推進下，SiC、GaN 功率元件的成本有望有效下降，預計 3~5 年后有機會把成本降到跟硅基元件相仿的程度，后段制程技術也持續推進。

英飛凌此前率先使用 12 英寸晶圓工廠生產硅基功率元件，近年來 GaN 氮化鎵芯片隨著手機、電腦充電器的發展，得到越來越廣的應用，相關制造技術也在快速推進中。由于 SiC 碳化硅功率元件已經問世 20 多年，英飛凌表示，這類芯片以往使用 2、4 英寸晶圓工廠生產，現在則轉向主流的 6 英寸，未來走向使用 8 英寸廠生產是非常正常的。