三星：3nm GAA技術已領先，取代臺積電指日可待！

三星電子決心要趕在臺積電前，將新一代3nm GAA制程技術商業化。

據Business Korea報道，三星Device Solution事業部技術負責人Jeong Eun-seung于25日在線上召開的三星科技暨事業論壇（Samsung Tech & Career Forum）上指出，“我們的GAA制程開發進度領先主要競爭對手（臺積電），若能確實鞏固技術，則三星的晶圓代工事業有望進一步茁壯成長。

GAA是實現3nm制程技術的重要一環，近期有望獲全球頂尖的晶圓代工商采納，其關鍵在將晶體管架構從3D（FinFET）轉換成4D（GAA）。

三星已在2019年5月發布了3nm GAA制程技術的物理設計套件（PDK），并于2020年通過制程技術認證。該套件使三星3nm GAA 結構制程技術可用于高性能計算（HPC）、5G、移動和高端人工智能（AI）應用芯片生產。

三星指出，2019年跟客戶測試3nm GAA設計套件后發現，這種技術可將芯片片面積縮減45%、效能提升50%。

今年6月，三星對宣布其基于GAA技術的3nm制程成已成功流片（Tape Out）。

按照三星的說法，與5nm工藝相比，3nm GAA技術的邏輯面積效率提高了35%以上，功耗降低了50%，性能提高了約30%。

Jeong在25日還表示，“三星2017年才成立晶圓代工事業部，但憑借公司在存儲制造方面的專長，取代臺積電指日可待。”他舉例指出，三星曾領先臺積電開發出一款采用FinFET技術的14MHz產品。

不過，根據資料顯示，2011~2020年期間，全球有31.4%的GAA專利來自臺積電，僅20.6%來自三星。