三星宣布2022年底前量產(chǎn)8層TSV技術(shù)堆疊的DDR5芯片，傳輸速度高達(dá)7.2Gbps

據(jù)韓國(guó)媒體《THEELEC》報(bào)導(dǎo)指出，三星電子在23 日舉行的在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)會(huì)議Hotchips 33 上宣布，三星電子將于2022 年底開始量產(chǎn)8 層堆疊的DDR5內(nèi)存芯片。

據(jù)介紹，該8層堆疊的DDR5內(nèi)存芯片將使用其矽通孔(TSV) 技術(shù)，將512GB DDR5 內(nèi)存模組進(jìn)一步堆疊起來(lái)。而目前該公司已經(jīng)生產(chǎn)出采用TSV 技術(shù)4 層堆疊的DDDR4內(nèi)存芯片，整個(gè)芯片的厚度僅1.2cm。

報(bào)導(dǎo)引用三星的說(shuō)法表示，盡管可堆疊到8 層DDR5 記憶體模組，但整個(gè)DDR5內(nèi)存芯片仍將比1cm更薄。而且與DDR4內(nèi)存芯片相較，新的DDR5內(nèi)存芯片還將具有更好的散熱功能，而這要?dú)w功于新型材料的應(yīng)用所導(dǎo)致。另外，三星還在模組中也采用自己開發(fā)的新款電源管理IC 來(lái)降低噪音，并使其有較優(yōu)秀的功耗性能。

報(bào)導(dǎo)進(jìn)一步指出，三星新的8 層堆疊DDR5內(nèi)存將具有7.2Gbps 的資料傳輸速度。三星還應(yīng)用了一種稱為決策反饋均衡器的技術(shù)，以進(jìn)一步提升數(shù)據(jù)傳輸速率，并保信號(hào)的穩(wěn)定狀況。另外，三星還強(qiáng)調(diào)，新的DDR5內(nèi)存模組將以數(shù)據(jù)中心的服務(wù)器市場(chǎng)需求為主要供應(yīng)對(duì)象。