三星：3nmGAA研發(fā)進(jìn)度領(lǐng)先臺積電，將盡早商業(yè)化

8月26日消息，據(jù)韓媒Business Korea報(bào)道，三星電子裝置解決方案事業(yè)部門技術(shù)長Jeong Eun-seung周三（25日）在一場網(wǎng)絡(luò)技術(shù)論壇中表示，三星能夠搶在主要競爭者臺積電之前，宣布GAA技術(shù)商業(yè)化。

他說，“我們開發(fā)中的GAA技術(shù)，領(lǐng)先主要競爭者臺積電。一旦鞏固這項(xiàng)技術(shù)，我們的晶圓代工事業(yè)將可更加成長。”

據(jù)報(bào)道，GAA是3納米制程的關(guān)鍵。GAA技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)在于改變電晶體架構(gòu)，將之由鰭式場效電晶體（FinFET）的3D轉(zhuǎn)為GAA的4D。

行業(yè)分析師指出，誰先將首先將GAA技術(shù)商業(yè)化，還有待進(jìn)一步觀察。這是因?yàn)榕_積電在早期也積極將該技術(shù)商業(yè)化。2011年至2020年間，全球31.4%的GAA專利來自臺積電，三星電子的GAA專利占20.6%。

三星電子表示，其在技術(shù)上與臺積電并駕齊驅(qū)。Jeong Eun seung指出，三星的晶圓代工事業(yè)2017年才開始，不過我們將憑借在存儲芯片領(lǐng)域的技術(shù)根基，超越臺積電。他舉例三星曾在臺積電之前，就開發(fā)了一款搭載FinFET技術(shù)的14MHz產(chǎn)品。