臺(tái)積電看好氮化鎵未來(lái)商機(jī)，關(guān)注五大應(yīng)用場(chǎng)景

SEMICON 中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)在線(xiàn)論壇臺(tái)積電研發(fā)資深處長(zhǎng)段孝勤在會(huì)上發(fā)言，他指出臺(tái)積電在化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)Ｗ⒃诘墸℅aN）相關(guān)開(kāi)發(fā)，歷經(jīng)長(zhǎng)期的發(fā)展氮化鎵已逐漸開(kāi)始被市場(chǎng)接受，預(yù)期未來(lái)十年將有更多應(yīng)用場(chǎng)景。

他指出，臺(tái)積電在氮化鎵的五個(gè)主要應(yīng)用場(chǎng)景包含快充、數(shù)據(jù)中心、太陽(yáng)能電力轉(zhuǎn)換器、48V DC/DC 以及電動(dòng)車(chē) OBC/轉(zhuǎn)換器，對(duì)于相關(guān)應(yīng)用藍(lán)圖并有對(duì)應(yīng)制程設(shè)計(jì)。

段孝勤提到，臺(tái)積電過(guò)去二十年在功率提升上投入，人們希望使用裝置的耗能越少越好，臺(tái)積也已在 BCD 電源管理技術(shù)上投入，功率組件自然也是重要關(guān)鍵，目前行動(dòng)裝置所需 BCD 制程已到 0.13 第三代，并正在開(kāi)發(fā) 90/55/40/22 BCD，車(chē)用部分已有 0.18 第二代 BCD 與 0.13 BCD 并正開(kāi)發(fā)最高 SOI 可達(dá) 100 V 的 55 BCD 制程。NVM 在電源管理應(yīng)用上，已推出 MRAM 對(duì)應(yīng) 28/22 納米制程等。

段孝勤也展示臺(tái)積電應(yīng)對(duì) MOSFET 的動(dòng)態(tài)與靜態(tài)制程特性，協(xié)助客戶(hù)開(kāi)發(fā)在功耗瓦數(shù)上降低與讓產(chǎn)品最終成功。有別于碳化硅（SiC）應(yīng)用材料特性，臺(tái)積電更關(guān)注在氮化鎵（GaN）的商機(jī)。

就新材料開(kāi)發(fā)上，他提到，硅基氮化鎵的挑戰(zhàn)主要是表面的不平整程度考驗(yàn)。臺(tái)積電已開(kāi)發(fā) GaN-on-Silicon 技術(shù)應(yīng)對(duì)功率與射頻組件需求。