消息稱聯(lián)電擬在新加坡建新12英寸晶圓廠

10月25日訊，據(jù)媒體消息，近日有市場(chǎng)消息稱，聯(lián)電計(jì)劃投資約 229 億元人民幣在新加坡建設(shè)第二座 12 英寸晶圓廠，月產(chǎn)能至少 2 萬(wàn)~3 萬(wàn)片，可能生產(chǎn) 40nm 以下制程的芯片。

據(jù)報(bào)道，聯(lián)電對(duì)此回應(yīng)稱，新加坡本來(lái)就有設(shè)廠，在全球有據(jù)點(diǎn)的地方持續(xù)評(píng)估建廠規(guī)劃，不過(guò)目前還沒(méi)有確切地點(diǎn)。

據(jù)了解，聯(lián)電新加坡廠 Fab 12i 位于白沙晶圓科技園區(qū)，于 2004 年開(kāi)始量產(chǎn)，月產(chǎn)能為 5 萬(wàn)片，制程為 0.13 微米至 40nm，產(chǎn)品涵蓋 FPGA、無(wú)線通訊芯片等。

業(yè)界人士認(rèn)為，聯(lián)電此次可能采 40nm 以下制程，如 28nm 制程生產(chǎn)芯片。