美光確認(rèn)：DDR5 內(nèi)存 PMIC、VRM 電源芯片雙雙短缺

盡管目前 DDR5 內(nèi)存已經(jīng)上市，但是其相對(duì)于 DDR4 內(nèi)存條的價(jià)格依舊偏高，16GB 4800MHz 售價(jià)高達(dá)千元以上。根據(jù)外媒 Tom's Hardware 消息，存儲(chǔ)大廠美光（Micron）證實(shí)，當(dāng)前 DDR5 內(nèi)存供不應(yīng)求，其中與電源相關(guān)的 PMIC、VRM 芯片雙雙短缺，影響到了產(chǎn)能。

美光預(yù)計(jì)這些芯片短缺將在 2022 年逐步緩和，下半年 DDR5 內(nèi)存出貨將明顯增長(zhǎng)。

DDR5 內(nèi)存將供電電路移至 PCB 的做法，可以更好地發(fā)揮內(nèi)存條的超頻潛能，保證供電更穩(wěn)定，并有助于在服務(wù)器上的應(yīng)用，但是這一做法使得每條內(nèi)存都需要增加額外的供電電路，大幅提高了廠商采購(gòu)元器件的難度和成本。

DDR5 內(nèi)存的供電電路包含 PMIC 電源管理芯片、VRM 電壓調(diào)節(jié)芯片、封閉式電感、MLCC 電容等等。美光表示，自家可以生產(chǎn)足夠的 DDR5 內(nèi)存芯片，但是電源芯片的短缺，限制了內(nèi)存條的產(chǎn)能。

目前 Renesas 瑞薩電子、IDT、Montage Technologies、德州儀器、三星電子這幾家廠商有能力提供 DDR5 內(nèi)存 PMIC 芯片，瑞薩的芯片還通過(guò)了英特爾的驗(yàn)證。盡管三星有自己的芯片，但是其第一批 DDR5 內(nèi)存條同樣使用了瑞薩電子的芯片。

目前，日本廠商已經(jīng)出貨了首批筆記本用 DDR5 內(nèi)存條。盡管英特爾 12 代酷睿移動(dòng)平臺(tái)即將推出，將同時(shí)兼容 DDR4、DDR5，但是芯片供應(yīng)的緊張，會(huì)導(dǎo)致筆記本電腦廠商謹(jǐn)慎選擇采用 DDR5 內(nèi)存方案。