英特爾宣布1000億美元投資計劃，將建8座晶圓廠

英特爾1月22號正式宣布了新的半導體投資計劃，將在美國俄亥俄州投資200億美元建設兩座新的晶圓廠，計劃于今年開建，2025年投產。屆時將生產最先進的處理器。

據介紹，英特爾即將在美國俄亥俄州建設的兩座晶圓廠占地1000 英畝，總投資200億美元，將創造3000個就業機會。

根據此前英特爾透露的消息顯示，英特爾將于2024年搶先量產Intel 20A（2nm）工藝，而基辛格去年3月宣布投資200億美元在亞利桑那州建設的兩座晶圓廠（Fab 52和Fab 62）將是生產Intel 20A工藝的主力工廠。英特爾此次宣布建設的兩座俄亥俄州工廠或將負責生產后續將于2025年量產的Intel 18A（18埃米）工藝。

英特爾CEO基辛格（Pat Gelsinger）表示，這兩座新工廠將是英特爾擴大芯片生產計劃重要一環。未來整體投資金額可能增至1000億美元，總計建設8 座晶圓廠，這將是俄亥俄州有史以來最大投資案。基辛格表示，最終目標要建成全球最大的芯片制造基地。

不過，基辛格也指出，雖然新建的產能規模龐大，但預計要到2025 年才會量產，所以短期還是無法緩解全球芯片短缺。至于半導體芯片領域達到供需平衡，還需要幾年時間。

此外，英特爾還承諾出資1億美元，與教育機構合作，建立人才管道，支持該地區的研究項目。

基辛格指出，半導體行業的年總銷售額剛剛超過5000億美元，預計到2029年將增長一倍。

他說，作為CEO，他的目標是擴大英特爾在這個不斷增長的市場上的份額，所以必須以一倍以上的速度進行投資和擴大產能。

另外，為了提高美國芯片產量，美國政府正游說國會批準520 億美元補助資金。眾議院議長Nancy Pelosi 本周表示，眾議院將很快推出競爭法案，加強半導體投資和供應。

美國政府已表達對中國半導體芯片快速發展的擔憂，商務部部長Gina Raimondo 表示，全球半導體產業鏈過度依賴地球另一半地區，亟需資金補助提振美國晶片制造。

基辛格此前也曾指出，如果沒有政府資金支援，英特爾仍會選擇俄亥俄州建設新工廠，只不過進度不會那么快。他也表示幾個月內會宣布歐洲制造基地更多細節。此前，英特爾已宣布，未來10年將在歐洲投資800億美元，將建設至少兩座先進的晶圓廠。