聞泰科技：自研IGBT產品已流片成功，各項參數(shù)均達到設計要求

3月9日下午，聞泰科技發(fā)布公告稱，旗下全資子公司 Nexperia B.V.（“安世半導體”）于 2021 年設立了中國研究院，專注高壓功率器件、模擬 IC 等新產品研發(fā)方向。目前公司自主設計研發(fā)的絕緣柵雙極晶體管（Insulated Gate BipolarTransistor ，以下簡稱“IGBT”）系列產品已流片成功，取得階段性重大進展，各項參數(shù)均達到設計要求。

資料顯示，IGBT 是電源轉換的核心器件，也是新能源與節(jié)能低碳經(jīng)濟的主要支撐技術，具有開關速度快、載流密度大等特點，并擁有廣泛的應用市場，主要面向新能源汽車、光伏/風力發(fā)電、智能電網(wǎng)、大功率電源、工業(yè)控制、家電產品等領域。其市場空間大、技術壁壘高且注重工程師經(jīng)驗和品牌口碑積累，是半導體里的優(yōu)質賽道。

聞泰科技表示，IGBT 流片成功后，仍需經(jīng)過客戶驗證，后續(xù)量產計劃具有不確定性。

值得一提的是，去年7月，聞泰科技旗下安世半導體收購的英國晶圓代工廠Newport Wafer Fab就具有用于汽車行業(yè)的MOSFET、IGBT芯片，以及CMOS、模擬芯片開發(fā)制造能力。