2021年至2025年第三代功率半導體年復合增長率達48%

3月10日，集邦咨詢發布報告稱，目前最具發展潛力的材料是具備高功率及高頻率特性的寬帶隙（Wide Band Gap，WBG）半導體，包含碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN），主要應用多為電動汽車、快充市場。據TrendForce集邦咨詢研究推估，第三類功率半導體產值將從2021年的9.8億美元，至2025年將成長至47.1億美元，年復合增長率達48%。

相較傳統Si base，第三類功率半導體襯底制造難度較高且成本較為昂貴，目前在各大襯底供應商的開發下，包括Wolfspeed、II-VI、Qromis等業者陸續擴增產能，并將在2022下半年量產8吋襯底，預期第三類功率半導體未來幾年產值仍有成長的空間。