聞泰科技IGBT業(yè)務(wù)新動向：下半年有望出貨 但產(chǎn)能或成發(fā)展瓶頸

3月14日訊， 聞泰科技近年來資本運作的成效正逐步釋放。近日，聞泰科技先后公告稱，公司IGBT系列產(chǎn)品已流片成功。同時，與境外特定客戶合作的智能家居項目正式開始量產(chǎn)并實現(xiàn)常態(tài)化出貨，項目合作總金額預(yù)計約50億元。

“IGBT研發(fā)有多個工藝流程，流片成功是一個比較重要的節(jié)點，因此做了主動披露。”聞泰科技證代包子斌向記者表示，公司從2021年就開始籌備IGBT系列產(chǎn)品，未來主要應(yīng)用于車用、光伏及工業(yè)領(lǐng)域。

截至2021年上半年，公司旗下安世半導(dǎo)體產(chǎn)品線重點包括晶體管（包括保護(hù)類器件ESD/TVS等）、Mosfet功率管、模擬與邏輯IC，營收占業(yè)務(wù)整體比例分別為52.16%、27.52%、17.56%；下游應(yīng)用領(lǐng)域主要為汽車、移動及穿戴設(shè)備、工業(yè)與電力、計算機設(shè)備和消費領(lǐng)域，營收占比分別為45%、22%、22%、6%、5%。

公司方面稱，截至2021年三季度末，半導(dǎo)體業(yè)務(wù)盈利能力達(dá)到歷史最高水平，亦是第三季度扣非歸母凈利潤同比高增的重要因素。2022年將加大研發(fā)投入，強勢進(jìn)入IGBT、中高壓MOSFET、SiC、GaN等市場，以支持安世未來5年的高速發(fā)展目標(biāo)。

據(jù)悉，安世半導(dǎo)體研發(fā)投入從9%提升至15%，全球?qū)⑿略?500多名研發(fā)工程師。2021年7月，安世半導(dǎo)體在上海成立了中國總部和中國研究院，專注高壓功率器件、模擬IC等新產(chǎn)品研發(fā)方向。而對于研發(fā)團隊來源、產(chǎn)品規(guī)劃等問題，聞泰科技方面則不予置評。

“安世去年不僅收購Newport加碼功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)，而且從英飛凌、TI等大廠挖了不少人組建中國研究院，加快推進(jìn)IGBT研發(fā)。”業(yè)內(nèi)人士向記者表示，相對比亞迪、斯達(dá)半導(dǎo)、時代電氣等同行廠商，聞泰科技起步較晚，要實現(xiàn)趕超需要借助“外部”力量。產(chǎn)品規(guī)劃上，先從低壓的光伏領(lǐng)域切入，再進(jìn)入中高壓的車用領(lǐng)域。

不過，IGBT流片成功后，仍需經(jīng)過客戶導(dǎo)入及驗證等環(huán)節(jié)。對此，有知情人士向記者透露：“聞泰在發(fā)展ODM業(yè)務(wù)過程中積累了較好的技術(shù)及客戶基礎(chǔ)，尤其與博世有深入合作，訂單及量產(chǎn)只是時間問題。預(yù)期最快今年下半年能在工業(yè)等領(lǐng)域出貨，但當(dāng)下最迫切的問題是產(chǎn)能緊缺。”

據(jù)了解，安世半導(dǎo)體采用集芯片設(shè)計、晶圓制造和封裝測試為一體的IDM模式，IGBT產(chǎn)線主要為英國Newport和上海臨港。其中，Newport月產(chǎn)能為3.2萬片8吋晶圓，最大可擴充至4.4萬片/月，生產(chǎn)0.18μm-0.7μm工藝制程的MOSFET、IGBT、CMOS等芯片；上海臨港12英寸車規(guī)級晶圓制造產(chǎn)線主要由公司控股股東聞天下投資，已于2021年1月開工，預(yù)計2023年貢獻(xiàn)產(chǎn)能，年產(chǎn)能40萬片/年。

上述知情人士告訴記者：“Newport為英飛凌等客戶代工，等原有訂單執(zhí)行結(jié)束后才能再分配產(chǎn)能，現(xiàn)有自用產(chǎn)能僅為10%左右。且MOSFET等其他功率半導(dǎo)體產(chǎn)品市場需求亦非常旺盛，產(chǎn)能受限或成為聞泰科技IGBT業(yè)務(wù)發(fā)展瓶頸。”