存儲(chǔ)市場(chǎng)供不應(yīng)求態(tài)勢(shì)明顯：Wafer報(bào)價(jià)再次大幅上調(diào)，DDR5顆粒價(jià)格漲幅高達(dá)30%

2025-11-04 來源：國(guó)際電子商情

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關(guān)鍵詞： DDR5 顆粒，DRAM NAND Flash TF 卡，價(jià)格漲幅

在強(qiáng)勁需求推動(dòng)下，本周DDR5顆粒價(jià)格漲幅高達(dá)30%。

DRAM：DDR5顆粒價(jià)格漲幅高達(dá)30%

本周DRAM現(xiàn)貨市場(chǎng)價(jià)格不斷飛漲。由于原廠供應(yīng)仍高度緊張，且Kingston等廠商持續(xù)限量出貨，多家模組廠迫于備貨壓力，只能積極在現(xiàn)貨市場(chǎng)購(gòu)買顆粒。

在此強(qiáng)勁需求推動(dòng)下，本周DDR5顆粒價(jià)格漲幅高達(dá)30%。目前市場(chǎng)供不應(yīng)求的態(tài)勢(shì)愈發(fā)明顯，短期內(nèi)供應(yīng)問題難以緩解，也促使客戶紛紛提前備貨，以確保年底至明年初料源穩(wěn)定。

DDR5/DDR4價(jià)格情況：

在DDR5 2Gx8部分，SK Hynix 4800 m die現(xiàn)貨報(bào)價(jià)明顯跳空上漲至USD17.0左右，5600 A die報(bào)價(jià)亦同樣明顯跳漲來到USD22.0以上。

DDR4 2Gx8部分，SK Hynix新Die價(jià)格落在USD33.8以上，CJR-XNC報(bào)價(jià)落在USD26.5~27.50左右。

DDR4 1Gx8 3200部分，SK Hynix DJR-XNC/CJR-XNC現(xiàn)貨價(jià)格上漲至USD11.0/7.00以上。

DDR4 512x8 3200部分，Samsung WF-BCWE一般報(bào)價(jià)為USD3.50左右。

DDR4 512x16 3200/2666部分，SK Hynix DJR-XNC現(xiàn)貨價(jià)上漲至USD9.50，Samsung WC-BCWE價(jià)格落在USD7.80附近，WC-BCTD報(bào)價(jià)為USD7.95左右。

DDR4 256x16部分，Samsung WF-BCTD報(bào)價(jià)約落在USD3.10左右。

KST模組現(xiàn)貨價(jià)格參考：

NAND Flash：現(xiàn)貨市場(chǎng)價(jià)格漲勢(shì)強(qiáng)勁

NAND Flash現(xiàn)貨市場(chǎng)價(jià)格漲勢(shì)延續(xù)強(qiáng)勁態(tài)勢(shì)。受原廠與現(xiàn)貨供應(yīng)商同步控貨、惜售影響，報(bào)價(jià)一路上揚(yáng)，成交雖有限，但買方詢單動(dòng)作頻繁，整體市場(chǎng)呈現(xiàn)供不應(yīng)求的格局。

在Wafer部分，報(bào)價(jià)再度大幅調(diào)升，其中SK Hynix 512Gb現(xiàn)貨價(jià)格已來到USD6.00。由于供應(yīng)端堅(jiān)持控貨不急出貨，加上原廠陸續(xù)上調(diào)報(bào)價(jià)，使得市場(chǎng)出現(xiàn)明顯的買盤追價(jià)現(xiàn)象。工廠端為確保后續(xù)產(chǎn)線供應(yīng)，不斷于現(xiàn)貨市場(chǎng)積極詢價(jià)與購(gòu)貨，導(dǎo)致價(jià)格持續(xù)跳漲，買方雖愿意墊高目標(biāo)價(jià)，但能成功成交的機(jī)會(huì)仍然有限，供不應(yīng)求的壓力越發(fā)明顯。

在eMMC部分，現(xiàn)貨氛圍積極熱絡(luò)，尤其是低容量Samsung 4G/8G，買家為滿足急單需求，釋出大量詢價(jià)單，雖然在低價(jià)區(qū)間仍有部分成交，但供應(yīng)端采取限量出貨策略，使整體交易量無法有效放大。

TF卡：現(xiàn)貨市場(chǎng)供應(yīng)有限

本周TF卡表現(xiàn)仍較活躍，買家問價(jià)動(dòng)作固定，市場(chǎng)現(xiàn)貨供應(yīng)依然有限，供應(yīng)端價(jià)格持續(xù)報(bào)高，部分容量?jī)r(jià)格提高較多，但市場(chǎng)報(bào)貨減少，雙方價(jià)格始終有些差距，市場(chǎng)整體成交量依然受限。