三星突破10nm以下DRAM內(nèi)存技術(shù)

三星和三星先進(jìn)技術(shù)研究院周二（12月16日）發(fā)布了其制造尺寸小于10 nm的DRAM的技術(shù)。三星在IEEE會(huì)議上宣布，存儲(chǔ)單元堆疊在外圍電路上，這種方法簡(jiǎn)稱為單元-外圍電路（Cell-on-Peri，簡(jiǎn)稱CoP）。

這與目前將周界晶體管放置在存儲(chǔ)單元下方的方式截然不同，周界晶體管在高溫堆疊過(guò)程中容易受到損壞，導(dǎo)致性能下降。三星將其技術(shù)命名為“用于10nm以下CoP垂直通道DRAM晶體管的高耐熱非晶氧化物半導(dǎo)體晶體管”。

這家韓國(guó)科技巨頭聲稱，他們采用了一種基于非晶銦鎵氧化物（InGaO）的晶體管，這種晶體管可以承受高達(dá)550℃的高溫，從而防止性能下降。 三星補(bǔ)充說(shuō)，這種垂直溝道晶體管的溝道長(zhǎng)度為100nm，可以與單片CoP DRAM架構(gòu)集成。

該公司指出，在測(cè)試過(guò)程中，漏極電流的劣化程度極小，晶體管在老化測(cè)試中也表現(xiàn)良好。

消息人士稱，該技術(shù)目前仍處于研究階段，未來(lái)將應(yīng)用于10nm以下的0a和0b類DRAM產(chǎn)品中。（校對(duì)/趙月）