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              • 安徽首家落地!深圳瑞馳助力安徽醫(yī)科大學(xué)第一附屬醫(yī)院真正實(shí)現(xiàn)“藥等人”!

                安徽首家落地!深圳瑞馳助力安徽醫(yī)科大學(xué)第一附屬醫(yī)院真正實(shí)現(xiàn)“藥等人”!

                在智慧醫(yī)療快速發(fā)展的今天,藥房自動(dòng)化已成為提升醫(yī)院服務(wù)效率、優(yōu)化患者體驗(yàn)的重要一環(huán)。近日,安徽醫(yī)科大學(xué)第一附屬醫(yī)院率先引入深圳瑞馳智慧藥房整體解決方案,成為瑞馳安徽省首家落地醫(yī)院。這一創(chuàng)新舉措,不僅極大提升了處方處理能力,更真正實(shí)現(xiàn)了“藥等人“的服務(wù)新模式,為患者帶來(lái)更快捷、更安全的取藥體驗(yàn)。
              • 兆易創(chuàng)新GD32H78D/77D系列MCU強(qiáng)勁來(lái)襲,以澎湃算力驅(qū)動(dòng)圖形交互新體驗(yàn)

                兆易創(chuàng)新GD32H78D/77D系列MCU強(qiáng)勁來(lái)襲,以澎湃算力驅(qū)動(dòng)圖形交互新體驗(yàn)

                商兆易創(chuàng)新宣布,正式推出GD32H78D/77D系列高性能32位通用微控制器,產(chǎn)品基于高性能Arm? Cortex?-M7內(nèi)核,主頻高達(dá)750MHz,配備高速大容量?jī)?nèi)存架構(gòu)及640KB可與CPU同頻運(yùn)行緊耦合內(nèi)存(TCM),搭載專(zhuān)用數(shù)學(xué)加速引擎及豐富的外設(shè)接口,實(shí)現(xiàn)了高性能、低功耗與專(zhuān)用加速器的完美融合
                2025-12-18 512 關(guān)鍵詞: 兆易創(chuàng)新 GD32H78D/77D 微控制器
              • 2025機(jī)械設(shè)備行業(yè)ERP系統(tǒng)排行榜 機(jī)械設(shè)備ERP系統(tǒng)哪家好

                2025機(jī)械設(shè)備行業(yè)ERP系統(tǒng)排行榜 機(jī)械設(shè)備ERP系統(tǒng)哪家好

                智能制造持續(xù)深化的浪潮下,機(jī)械設(shè)備行業(yè)“多品種、小批量、高定制”的生產(chǎn)特征愈發(fā)凸顯,企業(yè)對(duì)ERP系統(tǒng)的需求已超越基礎(chǔ)流程管控,轉(zhuǎn)向更深度的場(chǎng)景適配與全價(jià)值鏈協(xié)同。據(jù)賽迪顧問(wèn)《2025年中國(guó)機(jī)械裝備行業(yè)ERP市場(chǎng)研究報(bào)告》顯示,2025年上半年該領(lǐng)域市場(chǎng)規(guī)模突破280億元,同比增長(zhǎng)19.7%,具備行業(yè)化、場(chǎng)景化能力的ERP系統(tǒng)正成為企業(yè)選型的核心標(biāo)準(zhǔn)。
              • 電容在電源電路、音頻電路、射頻電路中的作用

                電容在電源電路、音頻電路、射頻電路中的作用

                電容描述的是器件儲(chǔ)存電荷的能力。電容的定義是器件的電荷量與電勢(shì)之比,常用C表示。電容的量綱是L-2M-1T4I2,國(guó)際單位制下單位是F(法拉)。電容器是一種基本的線性電子元件。電容器在電源濾波、信號(hào)濾波、信號(hào)耦合、諧振、濾波、補(bǔ)償、充放電、儲(chǔ)能、隔離直流電路中都有應(yīng)用。 電子產(chǎn)品,電容無(wú)疑是一種不可或缺的器件,其廣泛應(yīng)用于電源電路、音頻電路以及射頻電路等多個(gè)領(lǐng)域。接下來(lái),我們將深入探討電容的基礎(chǔ)知識(shí),帶你全面了解這一關(guān)鍵電子元件。電容,英文為“Capacitance”,也常被稱(chēng)作“電容量”,它衡量的是在特定電位差下,電荷的儲(chǔ)存量。這一物理量以C表示,其國(guó)際單位是法拉(F)。簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō),當(dāng)電荷在電場(chǎng)中受到力的作用而發(fā)生移動(dòng)時(shí),若導(dǎo)體間存在介質(zhì),便會(huì)阻礙電荷的移動(dòng),導(dǎo)致電荷在導(dǎo)體上累積,這種現(xiàn)象即為電容的形成。電容的計(jì)算公式為:C=εS/4πkd。其中,ε代表介電常數(shù),S是電容極板的正對(duì)面積,d是極板間的距離,而k則是靜電力常量。特別地,對(duì)于平行板電容器而言,其電容可簡(jiǎn)化為C=εS/d,其中ε為極板間介質(zhì)的介電常數(shù),S為極板面積,d為極板間的距離。
              • 輸出電容的ESR與紋波抑制:陶瓷電容/電解電容的頻響特性的對(duì)比

                輸出電容的ESR與紋波抑制:陶瓷電容/電解電容的頻響特性的對(duì)比

                在開(kāi)關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器等高頻電力電子系統(tǒng)中,輸出電容的等效串聯(lián)電阻(ESR)與紋波抑制能力直接決定電源的穩(wěn)定性與壽命。陶瓷電容與電解電容作為兩大主流選擇,其頻響特性與壽命表現(xiàn)存在顯著差異。本文從ESR的物理本質(zhì)、頻響特性、紋波抑制機(jī)制及壽命影響因素四個(gè)維度展開(kāi)對(duì)比分析,揭示二者在高頻濾波場(chǎng)景中的協(xié)同應(yīng)用邏輯。
              • 如何為10-30W反激LED驅(qū)動(dòng)電源選擇與優(yōu)化MOSFET?

                如何為10-30W反激LED驅(qū)動(dòng)電源選擇與優(yōu)化MOSFET?

                合科泰針對(duì)10-30W反激式LED驅(qū)動(dòng)應(yīng)用推出系列化產(chǎn)品,該系列MOS管具備600V電壓額定值,RDS(on)低至0.12Ω,Qg僅15nC,體二極管反向恢復(fù)時(shí)間50ns、反向恢復(fù)電流1.5A,同時(shí)提供TO-220F、PDFN5x6等封裝選項(xiàng)適配不同散熱與空間需求。合科泰可提供全流程技術(shù)支持,協(xié)助客戶在效率、EMI、成本之間找到最佳平衡,實(shí)現(xiàn)LED驅(qū)動(dòng)電源的高效、可靠、低成本目標(biāo)。
              • 2025年小家電企業(yè)有哪些ERP軟件系統(tǒng)可供選擇

                2025年小家電企業(yè)有哪些ERP軟件系統(tǒng)可供選擇

                家電行業(yè)面臨著產(chǎn)品迭代快、供應(yīng)鏈復(fù)雜、銷(xiāo)售渠道多樣化等特點(diǎn)。為了在激烈的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)中保持效率,企業(yè)需要一個(gè)強(qiáng)大的信息管理工具
              • 2025年消費(fèi)電子行業(yè)ERP軟件系統(tǒng)分析:6款主流方案對(duì)比

                2025年消費(fèi)電子行業(yè)ERP軟件系統(tǒng)分析:6款主流方案對(duì)比

                為消費(fèi)電子企業(yè)提供2025年ERP軟件系統(tǒng)選型參考。本文客觀分析了萬(wàn)達(dá)寶、SAP、NetSuite等6款主流ERP方案的功能、優(yōu)缺點(diǎn),幫助您做出合適的決策。
              • 2025年五金制品行業(yè)ERP管理系統(tǒng)軟件

                2025年五金制品行業(yè)ERP管理系統(tǒng)軟件

                為五金制品企業(yè)分析2025年若干主要erp管理系統(tǒng)軟件的選項(xiàng)。本文提供萬(wàn)達(dá)寶、SAP等系統(tǒng)的客觀評(píng)估,幫助您選擇合適的管理工具。
              • MOS管應(yīng)用中,常見(jiàn)的各種‘擊穿’現(xiàn)象

                MOS管應(yīng)用中,常見(jiàn)的各種‘擊穿’現(xiàn)象

                mos管也稱(chēng)場(chǎng)效應(yīng)管,這個(gè)器件有兩個(gè)電極,一個(gè)是金屬,另一個(gè)是extrinsic silicon(外在硅),他們之間由一薄層二氧化硅分隔開(kāi)。金屬極就是GATE,而半導(dǎo)體端就是backgate或者body。MOSFET是一種場(chǎng)效應(yīng)晶體管(利用電場(chǎng)控制電流),由金屬氧化物半導(dǎo)體制成,是目前使用最廣泛的生產(chǎn)技術(shù)。在功率MOSFET領(lǐng)域,碳化硅(SiC)也被使用,因?yàn)樗请娫础⒛孀兤骱推渌麘?yīng)用所需的更高性能和效率的理想選擇。東芝多年來(lái)一直致力于MOSFET的開(kāi)發(fā)和生產(chǎn),我們廣泛的低中高耐壓設(shè)備產(chǎn)品線具有低損耗、高速度、低導(dǎo)通電阻和小封裝等特點(diǎn)—適合各種應(yīng)用的MOSFET。他們之間的絕緣氧化層稱(chēng)為gate dielectric(柵介質(zhì))。器件有一個(gè)輕摻雜P型硅做成的backgate。這個(gè)MOS 電容的電特性能通過(guò)把backgate接地,gate接不同的電壓來(lái)說(shuō)明。MOS電容的GATE電位是0V。金屬GATE和半導(dǎo)體BACKGATE在WORK FUNCTION上的差異在電介質(zhì)上產(chǎn)生了一個(gè)小電場(chǎng)。在器件中,這個(gè)電場(chǎng)使金屬極帶輕微的正電位,P型硅負(fù)電位。這個(gè)電場(chǎng)把硅中底層的電子吸引到表面來(lái),它同時(shí)把空穴排斥出表面。這個(gè)電場(chǎng)太弱了,所以載流子濃度的變化非常小,對(duì)器件整體的特性影響也非常小。
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