德州儀器 (TI) 于近日推出了一款高性價比C2000? 系列實(shí)時微控制器 (MCU)，助力工程師以更低成本設(shè)計出行業(yè)性能領(lǐng)先的產(chǎn)品。新推出的F28E120SC 和 F28E120SB MCU 與之前在單電機(jī)和功率因數(shù)校正系統(tǒng)中使用的 C2000 MCU 相比，計算能力提高了 30%，有助于改變洗衣機(jī)、洗碗機(jī)、吸塵器等家用電器和電動工具的性能。 該系列新型 MCU 搭載TI 專有的 InstaSPIN? 磁場定向控制 (FOC) 軟件及先進(jìn)算法，能夠?qū)崿F(xiàn)更平穩(wěn)、更靜音且更高能效的電機(jī)性能。其所配置的先進(jìn)功能包括高速無傳感器磁場定向控制 (FOC)、高扭矩零速啟動以及復(fù)雜的振動補(bǔ)償技術(shù)，助力日常應(yīng)用實(shí)現(xiàn)高精度和高響應(yīng)的電機(jī)控制。

要理解藍(lán)牙音響中軟件分頻與硬件分頻的區(qū)別，需先明確 “分頻” 的核心目的：將音頻信號（20Hz-20kHz）拆分為不同頻段（如低頻、中頻、高頻），分別驅(qū)動對應(yīng)頻段的喇叭單元（低音炮、中置、高音頭），避免單喇叭單元覆蓋全頻段導(dǎo)致的失真，提升音質(zhì)表現(xiàn)。兩者的本質(zhì)差異在于 “信號拆分的載體”—— 是靠算法還是物理元件，進(jìn)而延伸出音質(zhì)、成本的顯著區(qū)別。

看電影時總糾結(jié) “選杜比全景聲還是 DTS:X”？玩游戲聽不出 “空間音效” 的差別？買回音壁時被 “Dolby TrueHD”“DTS-HD MA” 等術(shù)語搞暈？作為音頻領(lǐng)域的兩大巨頭，DTS 和杜比從影院走向家庭，早已滲透到我們的藍(lán)光機(jī)、功放、耳機(jī)甚至汽車?yán)铩＝裉炀蛷陌l(fā)展歷史、核心特性、設(shè)備適配三方面，幫你一文讀懂兩者的差異，選對適合自己的音頻技術(shù)！

要理解音頻領(lǐng)域的 ADC、DAC 和 采樣率，需先明確一個核心前提：現(xiàn)實(shí)世界中的聲音（如人聲、樂器聲）是模擬信號（連續(xù)變化的電信號），而手機(jī)、電腦、播放器等數(shù)字設(shè)備只能處理數(shù)字信號（離散的 0 和 1 代碼）。ADC 和 DAC 是連接 “模擬聲音” 與 “數(shù)字設(shè)備” 的關(guān)鍵橋梁，采樣率則是決定 “數(shù)字信號還原模擬聲音精度” 的核心指標(biāo)。下面從定義、原理、應(yīng)用場景三方面詳細(xì)拆解

TMS320F28P55x系列是德州儀器推出的MCU產(chǎn)品，一經(jīng)推出得到了業(yè)界的廣泛好評。為增進(jìn)大家對TMS320F28P55x系列MCU的認(rèn)識，本文將對MCU的分類、TMS320F28P55x系列MCU邊緣AI實(shí)時控制予以介紹。

電容描述的是器件儲存電荷的能力。電容的定義是器件的電荷量與電勢之比，常用C表示。電容的量綱是L-2M-1T4I2，國際單位制下單位是F(法拉)。電容器是一種基本的線性電子元件。電容器在電源濾波、信號濾波、信號耦合、諧振、濾波、補(bǔ)償、充放電、儲能、隔離直流電路中都有應(yīng)用。 電子產(chǎn)品，電容無疑是一種不可或缺的器件，其廣泛應(yīng)用于電源電路、音頻電路以及射頻電路等多個領(lǐng)域。接下來，我們將深入探討電容的基礎(chǔ)知識，帶你全面了解這一關(guān)鍵電子元件。電容，英文為“Capacitance”，也常被稱作“電容量”，它衡量的是在特定電位差下，電荷的儲存量。這一物理量以C表示，其國際單位是法拉(F)。簡單來說，當(dāng)電荷在電場中受到力的作用而發(fā)生移動時，若導(dǎo)體間存在介質(zhì)，便會阻礙電荷的移動，導(dǎo)致電荷在導(dǎo)體上累積，這種現(xiàn)象即為電容的形成。電容的計算公式為：C=εS/4πkd。其中，ε代表介電常數(shù)，S是電容極板的正對面積，d是極板間的距離，而k則是靜電力常量。特別地，對于平行板電容器而言，其電容可簡化為C=εS/d，其中ε為極板間介質(zhì)的介電常數(shù)，S為極板面積，d為極板間的距離。

在開關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器等高頻電力電子系統(tǒng)中，輸出電容的等效串聯(lián)電阻(ESR)與紋波抑制能力直接決定電源的穩(wěn)定性與壽命。陶瓷電容與電解電容作為兩大主流選擇，其頻響特性與壽命表現(xiàn)存在顯著差異。本文從ESR的物理本質(zhì)、頻響特性、紋波抑制機(jī)制及壽命影響因素四個維度展開對比分析，揭示二者在高頻濾波場景中的協(xié)同應(yīng)用邏輯。

mos管也稱場效應(yīng)管，這個器件有兩個電極，一個是金屬，另一個是extrinsic silicon(外在硅)，他們之間由一薄層二氧化硅分隔開。金屬極就是GATE，而半導(dǎo)體端就是backgate或者body。MOSFET是一種場效應(yīng)晶體管(利用電場控制電流)，由金屬氧化物半導(dǎo)體制成，是目前使用最廣泛的生產(chǎn)技術(shù)。在功率MOSFET領(lǐng)域，碳化硅(SiC)也被使用，因?yàn)樗请娫础⒛孀兤骱推渌麘?yīng)用所需的更高性能和效率的理想選擇。東芝多年來一直致力于MOSFET的開發(fā)和生產(chǎn)，我們廣泛的低中高耐壓設(shè)備產(chǎn)品線具有低損耗、高速度、低導(dǎo)通電阻和小封裝等特點(diǎn)—適合各種應(yīng)用的MOSFET。他們之間的絕緣氧化層稱為gate dielectric(柵介質(zhì))。器件有一個輕摻雜P型硅做成的backgate。這個MOS 電容的電特性能通過把backgate接地，gate接不同的電壓來說明。MOS電容的GATE電位是0V。金屬GATE和半導(dǎo)體BACKGATE在WORK FUNCTION上的差異在電介質(zhì)上產(chǎn)生了一個小電場。在器件中，這個電場使金屬極帶輕微的正電位，P型硅負(fù)電位。這個電場把硅中底層的電子吸引到表面來，它同時把空穴排斥出表面。這個電場太弱了，所以載流子濃度的變化非常小，對器件整體的特性影響也非常小。

多音樂制作人在混音時都會遇到一個問題：明明樂器、人聲都錄得不錯，混出來卻總覺得 底鼓渾濁聽不清，軍鼓軟趴沒爆發(fā)力，人聲輔音模糊沒質(zhì)感。其實(shí)，你可能忽略了一個關(guān)鍵細(xì)節(jié)：音頻瞬態(tài)。 作為聲音開頭那幾毫秒的 “能量爆發(fā)”，瞬態(tài)直接決定了聲音的沖擊力、清晰度和靈動感。無論是激進(jìn)的電子鼓點(diǎn)，還是柔和的氛圍音效，搞定瞬態(tài)，就能讓你的音樂質(zhì)感翻倍。本文從基礎(chǔ)概念到實(shí)戰(zhàn)技巧，手把手教你搞定不同場景、不同流派的瞬態(tài)處理，新手也能輕松上手

200W 以上功放芯片主要通過拓?fù)鋬?yōu)化、高功率器件、強(qiáng)化散熱及集成保護(hù)實(shí)現(xiàn)，TI 和 ST 均有針對性型號，后續(xù)將向 “高效材料 + 高度集成 + 超低低耗” 方向發(fā)展。

GaN（氮化鎵）屬于寬禁帶半導(dǎo)體（禁帶寬度 3.4 eV），硅基材料（硅）為傳統(tǒng)半導(dǎo)體（禁帶寬度 1.1 eV），二者在功放芯片中的性能差異源于材料物理特性

Class D功率放大器在音頻系統(tǒng)中被廣泛使用。 然而，在放大器啟動或關(guān)閉時，以及在靜音 / 取消靜音 切換期間，揚(yáng)聲器中經(jīng)常會出現(xiàn)爆裂聲或點(diǎn)擊聲。這些 噪音可能會被聽到，并使用戶感到不適。在音頻系統(tǒng)中 靜音功率放大器是避免在啟動或關(guān)閉期間出現(xiàn)爆裂聲的有效方法。此外，音頻系統(tǒng)有時播放音樂，有時停止播放，這需要頻繁地靜音或取消靜音放大器。因此，爆裂聲是頻繁靜音和取消靜音控制的關(guān)鍵問題。本文討論了 靜音 / 取消靜音過渡期間爆裂聲的發(fā)生原因，并設(shè)計了 相應(yīng)的方法來抑制這些噪音。 簡介 高效率和小尺寸的特點(diǎn)使 Class D 功率放大器非常 適合用于高功率音頻系統(tǒng)。圖 1 是使用 Class D 功率放大器的典型音頻系統(tǒng)。音頻處理器將音頻信號傳送到功率放大器，同時它還可以控制功率放大器的啟動和關(guān)閉。